MT3405-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### MT3405-VB:一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 MT3405-VB是一款高性能P-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型化、高效的SOT23封装形式。此款MOSFET具有高效率、低导通电阻(RDS(ON))等特点,广泛应用于便携式计算设备中,如笔记本电脑的适配器开关、负载开关及直流变换器等场景。 #### 主要特性 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**:采用了先进的TrenchFET技术,使得该MOSFET具备更低的导通电阻和更高的效率。 - **100% Rg 测试**:确保了器件在生产过程中进行了全面的质量控制,提高了可靠性和一致性。 #### 参数详解 - **最大工作电压(VDS)**:该MOSFET的最大工作电压为-30V。需要注意的是,这里的负号表示该MOSFET是P-Channel类型,意味着其导电通道由空穴主导。 - **最大连续电流(ID)**:在室温条件下(TC=25°C),该MOSFET能够承受的最大连续电流为-5.6A。当环境温度上升到70°C时,这个值会降至-4.3A。这表明在设计电路时需要考虑到工作温度对电流承载能力的影响。 - **导通电阻(RDS(ON))**:在VGS=-10V的情况下,RDS(ON)的典型值为47mΩ。这意味着在开启状态下,通过器件的电流会遇到较小的电阻,有助于减少能量损耗。 - **阈值电压(Vth)**:在本器件中,阈值电压为-1V。这个参数决定了开启MOSFET所需的最小门极-源极电压。 - **栅极电荷(Qg)**:在不同VGS条件下,Qg分别为11.4nC(VGS=-10V)、5.4nC(VGS=-4.5V)。栅极电荷是评价开关速度的重要指标之一。 #### 应用场景 - **便携式计算设备**:如笔记本电脑中的电源管理模块,用于控制电源供应或进行电压转换。 - **负载开关**:在电子设备中作为电源开关,保护电路免受过载或短路损害。 - **笔记本适配器开关**:在电源适配器中用作主开关元件,实现高效的能量转换。 - **DC/DC转换器**:用于各种电子设备中的电压调节器,将一种直流电压转换成另一种所需的直流电压。 #### 绝对最大额定值 - **最大耗散功率(PD)**:在TC=25°C时,最大耗散功率为2.5W;TC=70°C时降为1.6W。这是器件在不损害自身情况下可以处理的最大功率水平。 - **最大工作温度范围(TJ, Tstg)**:从-55°C到150°C。这意味着该MOSFET可以在极端温度条件下正常工作。 - **热阻**:最大结至环境温度为100°C/W;最大结至脚(排水)的热阻为50°C/W。这些数据对于设计散热方案非常重要。 #### 结论 MT3405-VB是一款性能优异的P-Channel沟道MOSFET,适用于多种便携式计算设备中的电源管理和转换应用。它不仅拥有较低的导通电阻,还具备宽泛的工作温度范围和良好的热性能,能够在各种恶劣环境下保持稳定可靠的运行。
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