### KD4953BDY-VB：一款SOP8封装双P-Channel场效应MOS管
#### 概述
KD4953BDY-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi制造。该产品具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热性能等特点，适用于多种负载开关应用场合。
#### 主要特性
- **无卤素**：符合环保标准。
- **TrenchFET® 功率MOSFET技术**：采用了先进的沟槽栅极技术，有效降低导通电阻，提高效率。
- **100% UIS测试**：确保了器件在极端条件下的可靠工作能力。
#### 应用范围
- **负载开关**：适用于各种电源管理应用场景，如电池供电设备中的电源控制等。
#### 参数总结
- **VDS (V)**：最大工作电压为-30V，即最大允许的源极至漏极电压。
- **RDS(on) (Ω)**：在不同条件下，导通电阻有所不同：
- 在VGS=-10V时，RDS(on)为0.035Ω；
- 在VGS=-4.5V时，RDS(on)为0.045Ω。
- **ID (A)**：最大连续电流为-7.3A，在不同温度下，最大连续电流有所变化：
- 在TJ=150°C时，ID为-7.3A；
- 在TA=70°C时，ID为-5.9A。
- **Qg (Typ.)**：门极电荷，在VGS=-10V时，典型值为17nC。
- **Vth**：阈值电压为-1.5V，表示当栅极至源极电压达到这一值时，MOS管开始导通。
#### 绝对最大额定值
- **VDrain-Source Voltage (VDS)**：最大源极至漏极电压为-30V。
- **VGate-Source Voltage (VGS)**：最大栅极至源极电压为±20V。
- **Continuous Drain Current (ID)**：最大连续漏极电流，在TJ=150°C时为-7.3A；在TA=70°C时为-5.9A。
- **Pulsed Drain Current (IP)**：最大脉冲漏极电流。
- **Continuous Source-Drain Diode Current (IS)**：最大连续源极至漏极二极管电流。
- **Avalanche Current (IA)**：雪崩电流。
- **Single-Pulse Avalanche Energy (EA)**：单脉冲雪崩能量。
- **Maximum Power Dissipation (PD)**：最大功率耗散。
- **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)**：工作结温范围为-55℃至150℃。
#### 热阻参数
- **Junction-to-Ambient (RthJA)**：最大结到环境的热阻为3850°C/W。
- **Junction-to-Foot (RthJF)**：最大结到脚的热阻为2025°C/W。
#### 封装及引脚配置
- **封装形式**：采用SO-8封装。
- **引脚配置**：S1、G1、D1为一个P-Channel MOSFET的源极、栅极和漏极；S2、G2、D2为另一个P-Channel MOSFET的源极、栅极和漏极。
#### 注意事项
- 超过“绝对最大额定值”的应力可能会永久损坏器件。
- 这些额定值仅作为应力参考，并不意味着在这些或任何其他超出规格操作部分指示条件下的功能操作。
- 长时间暴露于绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。
### 结论
KD4953BDY-VB作为一款高性能的双P-Channel MOSFET，不仅具有低导通电阻的特点，而且通过严格的UIS测试，确保了其在极端条件下的可靠性和稳定性，使其成为各种负载开关应用的理想选择。此外，其无卤素的设计也符合现代电子产品对环保的要求。
