### J461-T2B-A-VB：SOT23封装P-Channel场效应MOS管
#### 基本概述
J461-T2B-A-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi生产。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及低输入电容等特性，适用于高侧开关应用。
#### 技术特点
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。
- **TrenchFET®功率MOSFET技术**：采用了先进的沟槽栅极技术，提高了开关性能和降低了导通电阻。
- **高侧开关**：适合用于高电压电路中的开关应用。
- **低导通电阻**：在VGS = -10V时的导通电阻为3Ω。
- **低阈值电压**：典型阈值电压为-2V。
- **快速开关速度**：典型开关时间为20ns。
- **低输入电容**：典型输入电容为20pF。
- **符合RoHS指令**：符合2002/95/EC关于限制有害物质使用的指令。
#### 产品摘要
- **最大工作电压**（VDS）：-60V。
- **导通电阻**（RDS(on)）：3Ω（VGS = -10V）。
- **阈值电压范围**（VGS(th)）：-1V至-3V。
- **连续漏极电流**（ID）：最大-500mA（TA = 25°C）、-350mA（TA = 100°C）。
- **脉冲漏极电流**（IDM）：最大-1500mA（TA = 25°C）。
- **最大功耗**（PD）：460mW（TA = 100°C）。
- **最大结温到环境温度热阻**（RthJA）：350°C/W。
- **工作结温和存储温度范围**（TJ, Tstg）：-55°C至150°C。
#### 绝对最大额定值
- **漏-源电压**（VDS）：-60V。
- **门-源电压**（VGS）：±20V。
- **连续漏极电流**（ID）：-500mA（TA = 25°C）、-350mA（TA = 100°C）。
- **脉冲漏极电流**（IDM）：-1500mA（TA = 25°C）。
- **最大功耗**（PD）：460mW（TA = 100°C）。
- **最大结温到环境温度热阻**（RthJA）：350°C/W。
- **工作结温和存储温度范围**（TJ, Tstg）：-55°C至150°C。
#### 静态参数
- **漏-源击穿电压**（VDS）：在VGS = 0V，ID = -10μA时为-60V。
- **阈值电压**（VGS(th)）：在VDS = VGS，ID = -250μA时，阈值电压范围为-1V至-3V。
- **门-体漏电流**（IGSS）：在VDS = 0V，VGS = ±10V，TJ = 85°C时，漏电流为±500nA。
- **零门电压漏电流**（IDSS）：在VDS = -60V，VGS = 0V时，漏电流为-25μA。
#### 动态参数
- **开关时间**：与操作温度基本无关。
- **开关频率**：该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关应用。
#### 应用场景
- **电源管理**：可用于各种电源管理系统中的开关应用，如DC/DC转换器。
- **电机控制**：适用于小型电机的驱动控制。
- **信号放大**：可以作为信号放大电路中的关键组件。
- **保护电路**：由于其高侧开关特性和低导通电阻，适用于过流保护和短路保护电路。
#### 小结
J461-T2B-A-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，具备出色的电气性能和技术特性，广泛应用于电源管理和信号处理等领域。通过其低导通电阻、快速开关速度以及低输入电容等特点，能够有效提高系统的效率和可靠性。此外，该器件还符合环保标准，是一款绿色节能的产品。
