CPH3318-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管

### CPH3318-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管解析 #### 一、产品概述 CPH3318-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要特性包括： - **工作电压**：最大30V（VDS）。 - **最大连续电流**：-5.6A（ID）。 - **导通电阻**：在VGS=10V时为47mΩ（RDS(ON)）。 - **阈值电压**：-1V（Vth）。 该器件适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等应用。 #### 二、产品特点与技术参数 - **特点**： - **TrenchFET® Power MOSFET**：采用了先进的沟槽型结构，提高了器件的性能，降低了导通电阻。 - **100% Rg测试**：确保每个器件都经过栅极电阻的测试，提高了产品的可靠性和一致性。 - **技术参数**： - **静态参数**： - **Drain-Source Breakdown Voltage (VDS)**：指当栅源电压VGS为0V时，漏源间所能承受的最大电压，为-30V。 - **Threshold Voltage (VGS(th))**：定义了器件开始导通的栅源电压，为-1V。 - **On-State Drain-Source Resistance (RDS(ON))**：在不同栅源电压下测得的最小导通电阻，例如在VGS=-10V时为0.046Ω，在VGS=-6V时为0.049Ω，在VGS=-4.5V时为0.054Ω。 - **动态参数**： - **Gate Charge (Qg)**：在VGS=-10V时，栅极电荷为11.4nC。 - **热参数**： - **Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA)**：在特定条件下，芯片表面温度与周围环境温度之间的温差与功耗之比，典型值为75°C/W，最大值为100°C/W。 - **Thermal Resistance Junction-to-Foot (RthJF)**：在稳态条件下，芯片表面温度与脚部温度之间的温差与功耗之比，典型值为40°C/W，最大值为50°C/W。 #### 三、绝对最大额定值 - **Drain-Source Voltage (VDS)**：-30V。 - **Gate-Source Voltage (VGS)**：±20V。 - **Continuous Drain Current (ID)**： - 当结温TJ=150°C时，为-5.6A。 - 当环境温度TC=25°C时，为-5.4A。 - 当环境温度TC=70°C时，为-4.3A。 - **Pulsed Drain Current (IDM)**：在脉冲宽度≤100μs时，为-18A。 - **Continuous Source-Drain Diode Current (IS)**： - 当环境温度TC=25°C时，为-2.1A。 - 当环境温度TC=70°C时，为-1.0A。 - **Maximum Power Dissipation (PD)**： - 当环境温度TC=25°C时，为2.5W。 - 当环境温度TC=70°C时，为1.6W。 - **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)**：-55°C至150°C。 #### 四、应用建议 由于CPH3318-VB具有较低的导通电阻和良好的热性能，因此非常适合用于以下应用场景： - **负载开关**：可以高效地控制电源的通断。 - **笔记本适配器开关**：在电源管理电路中，能够实现快速的开关操作，降低能量损耗。 - **DC/DC转换器**：适用于需要高效率转换的应用场景，如移动设备、便携式电子设备等。 #### 五、注意事项 - 使用过程中应避免超过“绝对最大额定值”，以免对器件造成永久性损坏。 - 长时间暴露于绝对最大额定值条件可能会降低器件的可靠性。 - 在设计应用电路时，需要充分考虑热设计问题，确保散热良好。 通过以上介绍，我们可以看出CPH3318-VB是一款性能优秀的P-Channel沟道MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。