2SK1764-VB一种N沟道SOT89-3封装MOS管

2SK1764-VB是一款N沟道的MOS场效应晶体管，采用SOT89-3封装。这款器件特别适用于便携式设备的负载开关应用。它具有无卤素特性，采用了TrenchFET®技术，这是一项先进的制造工艺，能够提供更好的电性能和热效率。 在电气特性方面，2SK1764-VB的最大漏源电压（VDS）为60伏特，其漏源导通电阻（RDS(on)）典型值低至29欧姆，这表明在开启状态下，电流流过时的压降较小，有助于提高电路效率。连续漏极电流（ID）在环境温度为25°C时可达到2.5安培，而在70°C时则为1.6安培。脉冲漏极电流（IDM）和连续源漏二极管电流（ISTA）也有相应的限制，确保了器件在不同工作条件下的稳定运行。 此外，该MOSFET的栅源电压（VGS）的最大值为正负20伏特。最大功率耗散（PD）在25°C时为4瓦，在70°C时为1.6瓦。这意味着在这些温度下，器件可以安全地处理的最大功率水平。操作结温和存储温度范围从-55到150°C，确保了在广泛的环境条件下都能正常工作。 热特性是2SK1764-VB的重要考虑因素。最大结壳热阻（RthJA）在特定条件下为40到50°C/瓦，而最大结脚（漏极）到壳体的稳态热阻（RthJF）为15到20°C/瓦。这个参数决定了器件如何有效地散发热量，对于防止过热和提高可靠性至关重要。器件符合RoHS标准，表明其不含某些有害物质。 关于焊接建议，尽管260°C的峰值温度可能适用于短暂的焊接过程，但对于无引线组件如2SK1764-VB，手动烙铁焊接并不推荐，因为这可能导致底部焊锡连接不足。因此，制造商可能需要遵循特定的再加工条件以确保适当的焊接。 2SK1764-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适合于便携式设备的电源管理，其低的RDS(on)和优化的热特性使其在高效能、低功耗的应用中表现出色。用户在设计时应考虑其电气参数、热性能以及正确的焊接和使用方法，以确保器件的长期可靠性和电路的优化运行。