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2SJ529S-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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2024-08-19
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2SJ529S-VB;Package:TO252;Configuration:Single-P-Channel;VDS:-60V;VGS:20(±V);Vth:-1.7V;RDS(ON)=72mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V;ID:-30A;Technology:Trench;
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