160N75F3-VB TO247；Package：TO247；Configuration：Single-N-Channel；VDS：80V；VGS：20（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V；ID：215A；Technology：Trench；
### 160N75F3-VB TO247 晶体管参数与应用详解
#### 一、概述
160N75F3-VB TO247是一款采用TO247封装的N-Channel沟道功率场效应晶体管（MOSFET），具有低导通电阻（RDS(on)）、高工作温度范围和优秀的电气性能等特点。该器件适用于各种电源转换应用，包括同步整流、DC/DC转换器、电动工具驱动、电机驱动开关、DC/AC逆变器以及电池管理等领域。
#### 二、技术规格
**基本参数**
- **封装类型**：TO247
- **配置**：单个N-Channel
- **最大工作温度**：175°C
- **最大漏源电压** (VDS)：80V
- **最大栅源电压** (VGS)：±20V
- **阈值电压** (Vth)：3.5V
- **漏源导通电阻** (RDS(on))：
- @VGS=4.5V：4mΩ
- @VGS=10V：2.8mΩ
- **最大连续漏极电流** (ID)：215A
- **技术**：Trench
**绝对最大额定值**
- **漏源电压** (VDS)：80V
- **栅源电压** (VGS)：±20V
- **连续漏极电流** (ID, TJ = 150°C)：215A
- **脉冲漏极电流** (DM, t = 100μs)：600A
- **雪崩电流** (IAS)：70A
- **单次雪崩能量** (EAS)：245mJ
- **最大耗散功率** (PD, a = 25°C)：375W
- **工作结温范围** (TJ, Tstg)：-55°C 至 +175°C
**热阻**
- **结至环境** (RthJA)：40°C/W
- **结至壳体** (RthJC)：0.4°C/W
**电气特性** (TJ = 25°C, 除非另有说明)
- **漏源击穿电压** (VDS)：最小值 80V
- **栅阈电压** (VGS(th))：2V 至 4V
- **栅体泄漏电流** (IGSS)：±250nA
- **零栅压漏电流** (IDSS)：1μA
- **结温为 125°C 的零栅压漏电流**：150mA
- **结温为 175°C 的零栅压漏电流**：5mA
- **导通状态漏电流** (ID(on))：120A
- **漏源导通电阻** (RDS(on)):
- @VGS=10V, ID=30A：0.0028Ω
- @VGS=7.5V, ID=...（此处数据不全）
#### 三、产品特点
- **TrenchFET® 功率 MOSFET 技术**：提供更低的导通电阻，减少损耗。
- **最高 175°C 结温**：支持在高温环境下稳定工作。
- **极低的 Qgd**：有效降低通过 Vplateau 的功率损耗。
- **100% Rg 和 UIS 测试**：确保器件的质量和可靠性。
#### 四、应用场景
- **电源供应**：用于二次侧同步整流，提高效率。
- **DC/DC 转换器**：实现高效能的电压转换。
- **电动工具**：作为驱动开关，提高工具的性能。
- **电机驱动**：用于控制电机的速度和方向。
- **DC/AC 逆变器**：将直流电转换为交流电。
- **电池管理系统**：监测和保护电池组。
#### 五、注意事项
1. **脉冲测试**：脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。
2. **结温限制**：确保在指定的温度范围内使用。
3. **封装限制**：当安装于 1" 平方 PCB（FR4 材料）上时。
通过以上详细介绍可以看出，160N75F3-VB TO247 是一款高性能的N-Channel MOSFET，适用于多种电源管理和转换场合。其出色的电气性能和宽泛的工作温度范围使其成为设计工程师的理想选择。
