STS2302A-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### STS2302A-VB N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 STS2302A-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有20V的最大耐压、6A的最大连续电流以及低导通电阻等特点。该器件符合RoHS指令2002/95/EC,并且是无卤素设计,满足IEC 61249-2-21标准,适用于各种便携式设备中的DC/DC转换器和负载开关等应用场合。 #### 特性 - **无卤素设计**:根据IEC 61249-2-21定义,STS2302A-VB是一款无卤素的MOSFET。 - **TrenchFET®技术**:采用先进的TrenchFET®技术,确保了低导通电阻和高效率。 - **100% Rg测试**:所有器件在生产过程中都经过100%的Rg(栅极电阻)测试,确保了性能的一致性和可靠性。 - **RoHS合规**:完全符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。 #### 主要参数 - **最大漏源电压(VDS)**:20V,在VGS=0V时测得的漏源击穿电压。 - **最大连续漏极电流(ID)**:6A,当结温为150°C时,连续工作状态下的最大漏极电流。 - **导通电阻(RDS(ON))**: - 在VGS=4.5V时,RDS(ON)为24mΩ。 - 在VGS=8V时,RDS(ON)保持不变,为24mΩ。 - **阈值电压(Vth)**:0.45V至1V之间,这是使MOSFET导通所需的最小栅极电压。 - **栅电荷(Qg)**: - 当VGS=2.5V时,Qg为8nC。 - 当VGS=1.8V时,Qg为5.6nC。 - **封装类型**:SOT23。 - **热阻**: - 最大结到环境的热阻(RthJA)为80°C/W至100°C/W。 - 最大结到脚的热阻(RthJC)为40°C/W至60°C/W。 #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值定义了器件能够承受的最大电压、电流和温度条件。超过这些值可能会导致永久性的损坏。 - **最大漏源电压(VDS)**:20V。 - **最大栅源电压(VGS)**:±12V。 - **连续漏极电流(ID)**: - 在结温为150°C时,连续漏极电流为6A。 - 在环境温度为25°C时,连续漏极电流为5.15A。 - 在环境温度为70°C时,连续漏极电流为4A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:20A,在环境温度为25°C时的脉冲漏极电流。 - **最大耗散功率(PD)**: - 在环境温度为70°C时,最大耗散功率为2.1W。 - 在环境温度为25°C时,最大耗散功率为1.3W。 - **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**:-55°C至150°C。 #### 应用场景 STS2302A-VB适用于以下几种应用场景: - **DC/DC转换器**:在电源管理模块中作为开关元件,实现高效能的电压转换。 - **负载开关**:用于控制便携式设备中的电源路径,如手机、平板电脑等。 - **其他应用**:还包括电池充电管理电路、LED驱动器以及一般用途的电子开关等。 #### 结论 STS2302A-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,其独特的特性使其成为DC/DC转换器和负载开关的理想选择。通过采用TrenchFET®技术,它能够在保证低功耗的同时提供高效率和稳定性。此外,符合RoHS标准和无卤素设计使其更加环保,适合广泛的应用场景。
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