### STP4953M-TRG-VB 晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、产品概述
STP4953M-TRG-VB是一款双通道P-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOP8封装形式。该产品具有两个P-Channel沟道，适用于负载开关等应用场合。
#### 二、技术特点
- **无卤素设计**：符合环保标准。
- **TrenchFET® Power MOSFET**：采用先进的沟槽栅技术，提高效率并降低导通电阻。
- **100% UIS测试**：确保每个器件都能承受瞬态电压冲击。
#### 三、关键参数
##### 1. 绝对最大额定值
- **V_Drain-Source (V_DS)**：-30V，表示漏源极间的最大耐压为30V。
- **V_Gate-Source (V_GS)**：±20V，表明栅源极间可承受的最大电压范围。
- **连续漏极电流 (I_D)_Continuous**：在结温为150°C时，最大连续漏极电流可达-7.3A/-7.0A，在环境温度分别为25°C/70°C时，最大连续漏极电流分别可达-5.9A/-3.2A。
- **脉冲漏极电流 (I_D)_Pulsed**：未给出具体数值，通常高于连续漏极电流。
- **连续源漏极二极管电流 (I_S)_Continuous**：在结温为25°C时，最大连续源漏极二极管电流为-4.1A/-2.0A。
- **雪崩电流 (I_A)_Avalanche**：IL=0.1mA时，最大雪崩电流为-20A。
- **单脉冲雪崩能量 (E_A)_Single-Pulse**：最大单脉冲雪崩能量为20mJ。
- **最大功率耗散 (P_D)_Maximum**：在环境温度为25°C时，最大功率耗散为5.0W，在环境温度为70°C时，最大功率耗散为2.5W。
- **工作结温和存储温度范围 (T_J/T_stg)_Operating and Storage Temperature Range**：-55°C至150°C之间。
##### 2. 静态参数
- **导通电阻 (R_DS(on))_Static**：
- 在V_GS=-10V时，R_DS(on)=35mΩ；
- 在V_GS=-4.5V时，R_DS(on)=45mΩ。
- **门极电荷 (Q_g)_Static**：典型值为17nC。
#### 四、应用领域
- **负载开关**：由于其低导通电阻特性，适用于高效率电源管理系统的负载切换功能。
- **电源转换器**：适用于DC-DC转换器等电力电子设备中的开关元件。
#### 五、热阻特性
- **最大结到环境热阻 (R_th(JA))_Thermal Resistance**：3850°C/W。
- **稳态条件下最大结到脚热阻 (R_th(JF))_Thermal Resistance**：2025°C/W。
#### 六、注意事项
- 在绝对最大额定值之外使用可能会导致永久性损坏。
- 设计时需考虑工作条件不应超出规格书指定的操作范围。
- 该器件适用于脉冲测试，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
#### 七、封装信息
- **封装类型**：SO-8。
- **引脚排列**：1-2-3-4。
- **尺寸图**：提供了顶部视图，显示了两个P-Channel MOSFET的排列方式。
#### 八、总结
STP4953M-TRG-VB是一款高性能双通道P-Channel MOSFET，适用于需要高效电源管理的应用场景。通过其低导通电阻和可靠的性能指标，能够满足多种电力电子系统的需求。此外，其环保特性和严格的测试标准也使其成为工业和消费电子产品中的理想选择。
