STC4567S8RG-VB一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管

### STC4567S8RG-VB: SOP8 封装 N+P-Channel 场效应 MOS 管 #### 概述 STC4567S8RG-VB 是一款采用 SOP8（小外形封装）的 N+P-Channel 场效应晶体管（MOSFET）。该器件支持 ±60V 的工作电压范围，并具有 6.5/-5A 的连续电流能力。其导通电阻 RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=20V 下分别为 28mΩ 和 51mΩ，栅极阈值电压 Vth 在 ±1.9V 左右。 #### 特性与优势 - **无卤素**：符合 IEC 61249-2-21 标准，对环境友好。 - **TrenchFET® 功率 MOSFET 技术**：利用先进的沟槽栅极结构提高效率并降低功耗。 - **全面测试**：包括 Rg（栅电阻）和 UIS（Unclamped Inductive Switching，非钳位感性开关）测试，确保高可靠性和性能。 #### 应用场景 - **CCFL 逆变器**：用于紧凑型荧光灯等设备中的电源转换。 #### 参数概览 | 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | | --- | --- | --- | --- | | **最大工作电压** | VDS | 60V | -60V | | **导通电阻** | RDS(on) | 5.3mΩ @ VGS=10V<br>5.5mΩ @ VGS=-10V | 29mΩ @ VGS=10V<br>60mΩ @ VGS=-10V | | **栅极电荷** | Qg | 5.36nC @ VGS=10V<br>4.7nC @ VGS=4.5V | 4.98nC @ VGS=-10V<br>4.5nC @ VGS=-4.5V | #### 绝对最大额定值 - **漏源电压**：VDS = ±60V - **栅源电压**：VGS = ±20V - **连续漏极电流**：ID = 6.5A (N-Channel) / -5A (P-Channel)，在 TJ = 150°C - **脉冲漏极电流**：DM = 20A (N-Channel) / -25A (P-Channel)，脉冲宽度为 10μs - **最大功耗**：PD = 3.1W (N-Channel) / 3.4W (P-Channel)，在 TC = 25°C - **工作温度范围**：TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C #### 静态参数 - **漏源击穿电压**：VDS = 60V (N-Channel) / -60V (P-Channel)，条件为 VGS = 0V 和 ID = 250μA - **栅极阈值电压**：VGS(th) = 1.3V (N-Channel) / -1.3V (P-Channel)，条件为 VDS = VGS 和 ID = 250μA - **漏源电压温度系数**：ΔVDS/T = 55mV (N-Channel) / -50mV (P-Channel)，条件为 ID = 250μA - **栅极阈值电压温度系数**：ΔVGS(th)/T = -6V (N-Channel) / 4V (P-Channel)，条件为 ID = 250μA #### 热阻参数 - **结到环境热阻**：Rth(JA) = 55°C/W (N-Channel) / 53°C/W (P-Channel) - **结到引脚（漏极）热阻**：Rth(JF) = 33°C/W (N-Channel) / 30°C/W (P-Channel) #### 封装信息 - **封装类型**：SO-8 - **引脚数**：8 - **引脚排列**：56782341 - **N-Channel MOSFET**：D1G1S1S2G2D2 - **P-Channel MOSFET**：D1D2S2G2D2 #### 总结 STC4567S8RG-VB 通过其独特的 N+P-Channel 结构、高效的 TrenchFET 技术以及可靠的性能，在多种应用场合中展现出优异的特性。无论是对于 CCFL 逆变器还是其他电源转换设备，该器件都能够提供稳定而高效的表现。同时，它还具有环保的无卤素设计，符合现代电子产品的绿色发展趋势。