SMG2342N-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### SMG2342N-VB:一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 SMG2342N-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该MOSFET具有30V的最大工作电压和6.5A的最大连续电流能力。在VGS为10V时,其导通电阻RDS(ON)仅为30mΩ,而在VGS为20V时,该值保持不变。阈值电压Vth的范围为1.2V至2.2V之间。 #### 主要特性 - **无卤素**:符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤素要求。 - **TrenchFET® Power MOSFET**:采用先进的沟槽技术,提高了效率并降低了损耗。 - **全Rg测试**:确保每个器件的栅极电阻均经过测试,以提供一致的性能。 - **RoHS合规**:符合2002/95/EC指令中的有害物质限制要求。 #### 应用领域 - **DC/DC转换器**:适用于电源管理和转换应用,如计算机系统、通信设备等。 #### 产品概览 - **最大漏源电压VDS**:30V - **导通电阻RDS(on)**: - 在VGS=10V时为0.030Ω - 在VGS=4.5V时为0.033Ω - **最大连续漏极电流ID**:6.5A - **栅极电荷Qg**(典型值):4.5nC - **封装类型**:SOT-23 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压VDS**:30V - **栅源电压VGS**:±20V - **连续漏极电流ID**: - 当TC=25°C时为6.5A - 当TC=70°C时为6.0A - 当TA=25°C时为5.3A - 当TA=70°C时为5.0A - **脉冲漏极电流IDM**:25A - **连续源极-漏极二极管电流IS**: - 当TC=25°C时为1.4A - 当TA=25°C时为0.9A - **最大耗散功率PD**: - 当TC=25°C时为1.7W - 当TC=70°C时为1.1W - 当TA=25°C时为1.1W - 当TA=70°C时为0.7W - **工作结温和存储温度范围TJ, Tstg**:-55°C至150°C - **焊接推荐(峰值温度)**:260°C #### 热阻额定值 - **结到环境热阻RthJA**(t≤5s): - 典型值:90°C/W - 最大值:115°C/W - **结到脚(漏极)热阻RthJF**(稳态): - 典型值:60°C/W - 最大值:75°C/W #### 规格 - **静态漏源击穿电压VDS**: - 测试条件:VGS=0V,ID=250µA - 最小值:30V - **VDS温度系数ΔVDS/TJ**: - 测试条件:ID=250µA - 最小值:31mV/°C - **VGS(th)温度系数ΔVGS/th**: #### 结论 SMG2342N-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,特别适用于需要高效能、高可靠性的DC/DC转换器应用。它通过采用先进的沟槽技术实现了低导通电阻和高效率。此外,该MOSFET还具备良好的热性能和宽广的工作温度范围,能够满足各种苛刻的应用需求。无论是工业自动化设备还是消费电子产品的电源管理模块,SMG2342N-VB都能提供稳定可靠的性能支持。
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