### P1203EVG-VB：P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
P1203EVG-VB是一款采用SOP8封装的P-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。此款晶体管的主要特性包括工作电压范围宽、导通电阻低以及可靠性高，适用于各种电源开关应用场合。
#### 主要特点
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21标准提供无卤素版本。
- **沟槽栅极技术**：采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术，降低了导通电阻，提高了效率。
- **全面测试**：所有产品均经过100%的Rg（栅极电阻）测试和100%的UIS（Unclamped Inductive Switching）测试。
#### 应用领域
- **负载开关**：例如笔记本电脑、台式电脑等中的电源管理电路。
#### 参数规格
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| VDS (D-S 电压) | | | -30 | | V |
| RDS(on) (导通电阻) | | | 0.011 | | Ω @ VGS = -10V |
| RDS(on) (导通电阻) | | | 0.012 | | Ω @ VGS = -4.5V |
| ID (连续电流) | | | -11.6 | | A |
| dQg (典型栅电荷) | | | 622 | | nC |
#### 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 限制 | 单位 |
| --- | --- | --- | --- |
| VD (D-S 电压) | VDS | -30 | V |
| VGS (G-S 电压) | VGS | ±20 | V |
| 连续D电流 (TJ = 150°C) | ID | -11.6 | A |
| 连续D电流 (TA = 70°C) | ID | -8.7 | A |
| 脉冲D电流 | ID | -40 | A |
| 源极-漏极二极管连续电流 (TJ = 25°C) | IS | -4.62 | A |
| 雪崩电流 | IA | 0.1 | mA |
| 单脉冲雪崩能量 | AS | 20 | mJ |
| 功耗 (TJ = 25°C) | PD | 5.6 | W |
| 功耗 (TA = 70°C) | PD | 2.5 | W |
| 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | °C |
| 热阻 | RthJA | 3950 | °C/W |
#### 测试条件与说明
- **静态参数**：
- VGS = 0V, ID = -250μA 时，D-S击穿电压为-30V。
- 导通电阻RDS(on)在不同栅源电压下的典型值分别为10mΩ (VGS = -10V) 和12mΩ (VGS = -4.5V)。
- **动态参数**：
- 栅极电荷dQg在VGS = -10V时的典型值为622nC。
- **绝对最大额定值**：
- 漏极至源极电压VDS的最大值为-30V。
- 栅极至源极电压VGS的最大值为±20V。
- 连续D电流ID在不同的环境温度下具有不同的最大值，如TA = 25°C时为-11.6A，在TA = 70°C时降为-8.7A。
- 脉冲D电流ID的最大值为-40A。
- 源极-漏极二极管的连续电流IS在TJ = 25°C时的最大值为-4.62A。
- 雪崩电流IA的最大值为0.1mA。
- 单脉冲雪崩能量AS的最大值为20mJ。
- 功耗PD在不同环境温度下具有不同的最大值，如TJ = 25°C时为5.6W，在TA = 70°C时降为2.5W。
- **温度范围**：
- 操作和存储温度范围为-55°C至150°C。
- **热阻**：
- 结温到环境温度的热阻RthJA的最大值为3950°C/W。
#### 封装信息
- **封装类型**：SOP8
- **引脚配置**：S G D P-Channel MOSFET S S D D S G D
- **引脚标识**：1-2-3-4
#### 注意事项
- 在超出“绝对最大额定值”的条件下操作可能会导致设备永久损坏。这些额定值仅为应力等级，并不意味着在任何超出规格操作部分指示的条件下的功能性操作。长时间暴露于绝对最大额定值条件可能会影响设备的可靠性。
#### 结论
P1203EVG-VB是一款性能优秀的P-Channel沟道MOSFET，特别适合用于需要高效电源管理和负载开关的应用场景。其出色的电气特性和可靠的封装设计使其成为许多电子产品的理想选择。
