### CEM6867-VB — 双通道P沟道场效应晶体管（MOSFET）
#### 概述
CEM6867-VB是一款采用SOP8封装的双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种器件在设计上具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热性能等特点，适用于多种负载开关应用场合。该MOSFET由VB Semiconductor公司生产，并符合无卤素标准。
#### 特性
- **无卤素**：符合环保要求，减少对环境的影响。
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：通过先进的制造工艺实现更低的导通电阻(RDS(ON))和更小的封装尺寸。
- **100% UIS测试**：确保所有产品都经过严格的单元中断应力(Unit Interruption Stress)测试，提高了产品的可靠性。
#### 应用领域
- **负载开关**：广泛应用于电源管理中，例如电源轨的控制、负载切换等。
#### 产品规格概述
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|----------------------|-------------|---------|----------|
| 集电极-发射极电压(V) | VDS | -60 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | 58 mΩ | @ VGS=10V |
| | | | @ VGS=20V |
| 漏电流 | ID | -5.3 A | |
| 门极电荷 | Qg (典型值) | 0.054 nC | @ VGS = -10 V |
| 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | °C |
#### 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|--------------------------------------|-------------|--------|------|
| 集电极-发射极电压 | VD | -60 | V |
| 门极-源极电压 | VG | ±20 | V |
| 连续集电极电流(结温150°C) | IDC | -5.3 A | |
| 连续集电极电流(环境温度70°C) | IDC | -3.2 A | |
| 脉冲集电极电流 | IP | | |
| 连续源极-漏极二极管电流(结温25°C) | IS | -4.1 A | |
| 雪崩电流 | IA | -20 A | |
| 单脉冲雪崩能量 | AS | 20 mJ | |
| 最大功率耗散(环境温度25°C) | PD | 4.0 W | |
| 最大功率耗散(环境温度70°C) | PD | 2.5 W | |
#### 热阻特性
| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|----------------------------------|-------------|--------|--------|-------|
| 结至环境热阻 | RthJA | | 50 | °C/W |
| 结至引脚热阻 | RthJF | | 25 | °C/W |
#### 工作条件
- **工作结温和存储温度范围**：-55°C 至 150°C。
- **测试条件**：除非另有说明，否则所有参数均在结温为25°C时测量。
#### 封装与布局
- **封装类型**：SOP8。
- **引脚排列**：如图所示，双通道P沟道MOSFET采用标准SO-8封装。
- **顶视图**：包含两个独立的P沟道MOSFET(S1、S2)，每个MOSFET都有单独的门极(G1、G2)和漏极(D1、D2)引脚。
#### 结论
CEM6867-VB是一款高性能的双通道P沟道MOSFET，适用于需要低导通电阻、高可靠性和良好热性能的应用场景。其采用先进的TrenchFET®技术，具备良好的电气特性和紧凑的封装设计，是负载开关等电源管理应用的理想选择。此外，该器件还符合无卤素标准，体现了制造商对环境保护的关注。
