APM1403SC-TRL-VB一种P沟道SC70-3封装MOS管

《APM1403SC-TRL-VB：P沟道SC70-3封装MOSFET详解》 APM1403SC-TRL-VB是一款采用SC70-3封装的P沟道MOSFET，其设计与性能特点在半导体行业中具有重要地位。这款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其独特的技术特性，广泛应用于负载开关和DC/DC转换器等应用中。 APM1403SC-TRL-VB是一款符合IEC 61249-2-21标准的无卤素器件，同时符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它不含有害物质，有利于环保。此外，它采用了TrenchFET®技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上构建沟槽结构，显著提高了MOSFET的开关性能和能效。 该器件的关键参数包括：额定的漏源电压VDS为-20V，即它可以承受的最大电压差；在特定条件下，如VGS = -4.5V时，开启电阻RDS(on)为0.080Ω，而在VGS = -2.5V时，这一值降至0.100Ω。这表明其在低电压下的导通电阻非常低，从而能实现高效能的电流控制。电荷容量cQg的典型值分别为4.3nC和2.3nC，取决于栅极-源极电压的不同，这关乎到开关速度和瞬态响应。 在连续工作条件下的最大漏极电流ID，当温度为25°C时为3.1A，而随着温度升高至70°C，这一数值相应减少。脉冲漏极电流IDM的最大值为6A，表明了其在短时间内的大电流处理能力。源漏二极管的连续电流IS限制在0.4A以下，确保了器件在正常工作中的稳定性。 此外，APM1403SC-TRL-VB的最大功率耗散在不同温度下有所不同，25°C时为0.5W，70°C时为0.3W。这些参数对于评估器件在实际应用中的散热性能至关重要。器件的工作结温及储存温度范围为-50°C至150°C，以确保其在各种环境下的可靠性。 在热特性方面，最大结温至环境的热阻RthJA在10秒脉冲测试下小于或等于300°C/W，而稳态下最大结脚至散热器的热阻RthJF则为225°C/W至270°C/W。这些参数对于计算器件在高热负荷下的温升非常重要。 需要注意的是，尽管绝对最大额定值给出了器件能够承受的压力，但长时间处于这些极限条件下可能影响设备的可靠性。因此，实际应用中应确保在规格书的操作部分所指示的条件下运行。 APM1403SC-TRL-VB是一款高性能、环保且适用于多种应用的P沟道MOSFET，其优异的电气特性和热管理能力使其成为电子设计工程师的理想选择。如需了解更多详细信息，可访问VBsemi公司的官方网站或拨打服务热线400-655-8788咨询。