FDN336P-NL-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于需要高效能和小型化解决方案的电子设计。这款MOSFET的主要特点包括其低的导通电阻（RDS(ON)）以及较高的额定电压和电流。
在技术参数方面，FDN336P-NL-VB具有以下特性：
1. **导通电阻(RDS(ON)**：这款MOSFET在4.5V的栅极电压（VGS）下，RDS(ON)为57毫欧，而在2.5V的VGS时，RDS(ON)上升至83毫欧。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下，流过器件的电流产生的压降较小，从而提高电路效率并降低功耗。
2. **阈值电压(Vth)**：-0.81Vth表示在达到导通状态所需的最小栅极-源极电压。这确保了在适当电压下MOSFET能够可靠地开启和关闭。
3. **额定电压(VDS)**：FDN336P-NL-VB可以承受高达-20V的漏源电压，这是其工作时安全的最高电压限制。
4. **连续漏极电流(ID)**：在结温(TJ)为150°C时，最大连续漏极电流为-5安培，而在25°C时为-4.5安培。在70°C时，这一数值进一步下降到-3.5安培，这反映了随着温度升高，器件的电流承载能力会下降。
5. **脉冲漏极电流(IDC)**：短时间内的脉冲电流可达到-18安培，但必须在规定的时间和占空比内使用以避免过热。
6. **源漏二极管电流(IS)**：此MOSFET内部集成了一个体二极管，允许在反向方向上通过一定的电流。在25°C时，最大连续源漏二极管电流为-2.1安培，而在70°C时降至-1.0安培。
7. **最大功率耗散(PD)**：在25°C时，器件的最大功率耗散为2.5瓦，而70°C时则降至1.6瓦，表明随着温度的增加，散热要求更高。
**热特性**：
- **最大结壳热阻(RthJC)**：在稳态条件下，器件的最大结壳热阻为40°C/W，这意味着每增加1瓦的功率，结温将升高40°C。
- **最大结空气热阻(RthJA)**：在5秒脉冲测试中，器件的最大结空气热阻为75°C/W，而在稳态条件下为100°C/W。
**应用领域**：
- **负载开关**：由于其低的RDS(ON)，FDN336P-NL-VB适合于控制大电流负载的开关操作。
- **功率放大器开关**：在音频系统或通信设备中，用于高效开关电源或放大信号。
- **直流-直流转换器**：在电源管理电路中，作为开关元件，转换电压并提高能源效率。
**优势**：
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准，对环境友好。
- **TrenchFET技术**：采用沟槽式结构，提供更高的密度和更低的导通电阻。
- **100%栅极电阻测试**：确保每个器件的质量和一致性。
- **RoHS兼容**：符合欧盟的有害物质限制指令2002/95/EC。
FDN336P-NL-VB是一款适用于需要高效、小体积和高可靠性的P沟道MOSFET的应用，特别适用于那些需要低导通电阻和高电流处理能力的场合。设计者在选择这款MOSFET时，应考虑其工作条件，确保不超出其绝对最大额定值，以保证设备的长期稳定性和可靠性。
