**FDMC8026S-VB MOSFET详解**
**一、产品概述**
FDMC8026S-VB是一款采用DFN8（3x3）封装的N沟道MOSFET，由VBsemi（维邦半导体）生产。这款MOSFET设计用于低侧开关应用，如DC/DC转换，在笔记本电脑和游戏设备中具有广泛的应用。它具备TrenchFET®技术，提供优异的性能和效率。
**二、关键参数**
1. **阈值电压（VGS(th)）**: 未在描述中给出具体数值，但通常N沟道MOSFET的阈值电压会在几伏特范围内，影响器件的开启和关闭特性。
2. **漏源电压（VDS）**: 最大额定值为30V，确保在高电压环境下工作的稳定性。
3. **连续漏电流（ID）**: 在TJ = 150°C时的最大值为40A，TJ = 25°C时为17.1A（根据温度变化），表明其强大的电流承载能力。
4. **漏源导通电阻（RDS(on)）**: 在10V的栅极电压下典型值为11mΩ，4.5V下为16mΩ，这决定了器件在导通状态下的电压降，直接影响到电路的效率。
5. **栅极源电压（VGS）**: 最大值为±20V，保证了良好的开关性能。
6. **热特性**: 最大结壳热阻（RthJC）在25°C时为27°C/W，最大结脚热阻（RthJF）为67.5°C/W，这些参数影响MOSFET的散热性能。
**三、应用领域**
1. **DC/DC转换**: 作为电源管理的关键组件，FDMC8026S-VB可用于电压转换和调节，特别是在需要高效低侧开关的应用中。
2. **笔记本电脑**: 在电池管理系统和其他电力分配电路中发挥重要作用。
3. **游戏设备**: 用于电源管理和高速数据传输控制。
**四、电气特性**
1. **脉冲漏源电流（IDM）**: 在短脉冲条件下，器件可以承受高达100A的峰值电流。
2. **连续源漏二极管电流（IS）**: 在25°C时，最大值为3.1A，表明其内置二极管可以处理较大的反向电流。
3. **单脉冲雪崩电流（IA）**: 限制为10A，确保器件在过载条件下的安全性。
4. **雪崩能量（EAS）**: 最大值为5mJ，这是MOSFET在雪崩条件下能承受的能量，超过这个值可能会导致器件损坏。
**五、工作条件与安全操作区**
器件的工作结温范围为-55°C至150°C，最大功率耗散在25°C时为60W，70°C时为30W。绝对最大额定值是器件在不引起永久性损坏的条件下可以承受的极限参数，但长时间运行在这些条件下可能会影响器件的可靠性。
**六、环保认证**
该产品符合RoHS标准，不含卤素，符合现代电子产品对环保的要求。
**七、总结**
FDMC8026S-VB是一款高性能、低RDS(on)的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和紧凑尺寸的电源管理应用。其良好的热管理和高电流能力使其成为便携式电子设备的理想选择。同时，其环保属性也满足了当前市场对环保电子产品的关注。如需更多信息，可联系VBsemi的服务热线400-655-8788。
