DMN3033LSN-7-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

**DMN3033LSN-7 MOSFET参数详解** DMN3033LSN-7是一款采用SOT23封装的N沟道MOSFET，由VBsemi公司制造。这款MOSFET是TrenchFET功率MOSFET，具有环保特性，符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤素要求，并且符合RoHS指令2002/95/EC。 **主要特性：** 1. **TrenchFET技术**：TrenchFET是一种利用沟槽结构的MOSFET设计，可以提供更低的导通电阻(RDS(ON))和更好的热性能。 2. **100% Rg测试**：确保每个器件的栅极电阻在生产过程中都经过了测试，保证了性能一致性。 3. **阈值电压范围**：1.2~2.2Vth，这意味着在不同的栅极电压下，MOSFET能够可靠地开启和关闭。 **关键参数：** - **耐压能力**：源漏电压(VDS)为30V，意味着在正常工作条件下，源极和漏极之间的最大电压不能超过30V。 - **导通电阻**：在VGS = 10V时，RDS(ON)为30mΩ，而在VGS = 4.5V时，RDS(ON)降低至33mΩ。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小。 - **连续漏电流**：在不同温度下，ID的最大值有所不同。在25°C时为6.5A，70°C时为5.3A。 - **脉冲漏电流**：IDM的最大值为25A，表明MOSFET能够处理短时间内的大电流脉冲。 - **源漏二极管电流**：IS的最大值在25°C时为1.4A，反映了MOSFET内部源漏二极管的电流能力。 **热性能：** - **最大结温**：工作和存储温度范围是-55°C到150°C。 - **热阻抗**：RthJA是结到环境的热阻，典型值为90°C/W，最大值为115°C/W，而RthJF是结到脚的热阻，典型值为60°C/W，最大值为75°C/W。这些数值影响了器件的散热效率。 **绝对最大额定值：** - **栅极源电压**：VGS的最大值为±20V，超出这个范围可能对器件造成永久性损害。 - **连续漏电流**：ID的额定值随温度升高而降低，以防止过热。 - **最大功率耗散**：PD的最大值在25°C时为1.7W，70°C时为1.1W。 **规格：** - **击穿电压**：VDS随着温度的升高而略有增加，具有正的VDS温度系数。 - **阈值电压温度系数**：VGS(th)也随温度变化，表明阈值电压会随着温度的升高而降低。 **应用：** 由于其小巧的SOT23封装和优良的电气特性，DMN3033LSN-7适用于需要高效能、低功耗转换的DC/DC转换器等应用。 **注意事项：** 器件的绝对最大额定值仅是应力测试的界限，长时间处于这些条件下可能会影响器件的可靠性。在实际操作中，应确保工作条件不超过规格书中的“操作部分”所规定的参数。 DMN3033LSN-7是一款适合于电源管理、开关电源以及需要高效能、低损耗电子设备的N沟道MOSFET。其低RDS(ON)和紧凑的封装使其成为便携式和节能应用的理想选择。如需了解更多详情，可访问VBsemi官方网站或拨打服务热线400-655-8788咨询。