AP2306AGN-SOT23-3封装参数应用-VBsemi

【AP2306AGN-SOT23-3封装参数应用-VBsemi】是一款由VBsemi公司生产的1N-Channel 30-V (D-S) MOSFET，这款MOSFET采用了TrenchFET® 技术，提供更优秀的性能和更低的功率损耗。以下是该器件的主要特性和应用领域。 特性： 1. 无卤素设计，符合IEC 61249-2-21标准，确保环保。 2. 100% Rg测试，保证了产品的可靠性和一致性。 3. 符合RoHS指令2002/95/EC，确保了其在欧盟市场的合规性。 应用： 1. 主要应用于DC/DC转换器中，用于电源管理和其他功率转换电路。 产品摘要： - VDS（漏源电压）的最大值为30V，确保了MOSFET在高压环境下工作的能力。 - RDS(on)（漏源导通电阻）在VGS = 10 V时典型值为6.5 Ω，在VGS = 4.5 V时为6.0 Ω，较低的RDS(on)意味着在导通状态下的功耗更低。 - ID（连续漏电流）在不同温度下有所不同，例如在TA = 25 °C时最大为6.5 A，而在TA = 70 °C时则降低到5.0 A。 - Qg（总栅极电荷）为低至4.5 nC，有助于快速开关操作，减少开关损耗。 - GSD是栅极-源极-漏极的电气符号，表明MOSFET的结构。 绝对最大额定值： - 在25 °C时，最大耗散功率PD为1.7 W，而在70 °C时降低到0.7 W，这些数值考虑到了散热条件。 - 源漏二极管的连续电流IS在25 °C时为1.4 A，而脉冲漏电流IDM则根据温度变化。 - 工作和存储的温度范围为-55到150 °C。 热特性： - RthJA（最大结壳热阻）在5秒内的瞬态值为90°C/W，而稳态值为115°C/W，这关系到MOSFET在高负荷下能否有效散热。 - RthJF（最大结脚热阻）在稳态条件下为60°C/W。 注意： - 脉冲测试时，脉宽应小于300 µs，占空比不超过2%。 - 设计上保证了一些参数，如RDS(on)温度系数，但生产测试不包括所有参数。 - 绝对最大额定值仅表示设备能承受的应力，长时间工作在此范围内可能影响可靠性。 总结，AP2306AGN-SOT23-3是一款适用于电源转换应用的高性能MOSFET，其小巧的SOT-23封装、低RDS(on)和良好的热特性使其成为高效电源设计的理想选择。在实际应用中，必须注意工作温度、电流负载和散热条件，以确保器件的稳定运行和长期可靠性。