【半导体行业：第三代半导体产业与资本的交汇点】
在2020年3月18日的国泰君安春季策略会中，讨论焦点聚焦于第三代半导体，这是一场产业界与资本市场的观点碰撞。第三代半导体，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其优异的物理特性和潜在的高性能应用，被业界视为未来半导体行业的关键发展方向。然而，对于何时能够真正颠覆硅基半导体的主导地位，各方观点不一。
专家的核心观点相对保守，他们认为尽管第三代半导体是未来的趋势，但大规模商业化应用还需要时间。专家估计，当前碳化硅器件的成本大约是硅器件的1.5-2倍，预计在2023-2025年间，成本差距可能会缩小，形成与硅器件的竞争格局。同时，氮化镓在电压性能和可靠性方面的提升，有望在未来5-10年内在电动汽车动力系统中与碳化硅形成竞争。
国泰君安的研究团队对此持更乐观的看法。他们相信，从全产业链的角度看，未来5年内，第三代半导体器件和系统在考虑能耗节省后的总成本将优于硅基器件，从而推动行业快速发展。关键在于，能否出现如隆基、宁德时代这样的行业领军企业，通过技术创新引领产业链的整体升级。
报告中特别提到了特斯拉Model 3采用碳化硅MOSFETs替代IGBT的例子。特斯拉的成功在于，虽然碳化硅器件初期成本较高，但由于其在动力系统体积、电机控制效率、自动驾驶系统整合等方面的综合优势，使得全生命周期成本具有经济性。此外，特斯拉的创新模式——自控核心零部件，如自动驾驶和电力驱动系统，通过供应链整合降低成本，也使得其他厂商难以复制其技术路径。
国泰君安的分析师团队认为，特斯拉的示范效应将加速电动汽车领域对第三代半导体的接纳。随着电动车市场的迅速扩张和特斯拉市场份额的增加，专门针对电动车设计的系统平台可能会广泛推广，碳化硅对IGBT的替代进程可能超出行业预期。
总结来说，第三代半导体的发展既受到技术成熟度的制约，也受制于成本效益的平衡。产业界和资本市场的关注点在于，何时及如何实现第三代半导体的商业化突破，以及这将如何重塑全球半导体行业的竞争格局。而特斯拉的实践，无疑为这一进程提供了一个生动的案例，预示着未来的可能性。在政策支持、技术进步和市场需求的共同驱动下，第三代半导体产业有望迎来爆发式增长。
