BIOS 中的参数中文意思解释
在 BIOS 设置中，有许多参数需要用户进行设置和调整，这些参数的名称可能会让用户感到困惑。为了帮助用户更好地理解和设置 BIOS 参数，本文对 BIOS 中的参数进行了中文解释。
1. Above1MBMemoryTest：设置开机自检时是否检测 1M 以上内存。
中文解释：在开机自检时，是否检测 1M 以上的内存。
2. AutoConfiguration：设置为允许时，BIOS 按照最佳状态设置。
中文解释：自动配置，BIOS 会根据最佳状态来设置参数。
3. MemoryTestTickSound：是否发出内存自检的滴嗒声。
中文解释：是否播放内存自检的提示音效。
4. MemoryParityErrorCheck：设置是否要设置内存奇偶校验。
中文解释：是否启用内存奇偶校验机制，以检测内存错误。
5. CacheMemoryController：是否使用高速缓存。
中文解释：是否启用高速缓存，以提高系统性能。
6. ShadowRAMOption：设置系统 BIOS 或显示卡 BIOS 是否映射到常规内存中。
中文解释：是否将系统 BIOS 或显示卡 BIOS 映射到常规内存中，以提高系统性能。
7. InternalCacheMemory：是否使用 CPU 内部缓存(一级缓存)。
中文解释：是否启用 CPU 内部缓存，以提高系统性能。
8. ExternalCacheMemory：是否使用 CPU 外部缓存(主板上的二级缓存)。
中文解释：是否启用 CPU 外部缓存，以提高系统性能。
9. ConcurrentRefresh：直译是同时发生的刷新。
中文解释：设置 CPU 在对其它 I/O 操作时对内存同时刷新，以提高系统性能。
10. DRAMReadWaitState：设置 CPU 从内存读数据时的等待时钟周期。
中文解释：设置 CPU 从内存读数据时的等待时间，以适应内存的速度。
11. DRAMWriteWaitState：设置 CPU 向内存写数据时的等待时钟周期。
中文解释：设置 CPU 向内存写数据时的等待时间，以适应内存的速度。
12. SlowRefresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期。
中文解释：对高质量的内存，可以设置更长的刷新周期，以提高系统性能。
13. ShadowCachecable：把映射到常规内存的 BIOSROM 增加高速缓存。
中文解释：将 BIOSROM 映射到常规内存中，并启用高速缓存，以提高系统性能。
14. PageMode：使内存工作于 PageMode 或 PageInterleaved 模式。
中文解释：设置内存工作于 PageMode 或 PageInterleaved 模式，以提高系统性能。
15. RASTimeoutCounter：使 PageMode 或 PageInterleaved 模式的工作速度更快。
中文解释：设置 PageMode 或 PageInterleaved 模式的工作速度，并监视内存 RAS 周期。
16. MemoryRelocation：内存重新定位。
中文解释：将上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到 1MB 以上的扩展内存中。
17. MemoryHole：有人称作内存孔洞。
中文解释：保留内存地址 15MB-16MB 的区域供特定的 ISA 扩展卡使用，以提高卡的工作速度或避免冲突。
18. DRMATimingSetting：快页内存或 EDO 内存速度设置。
中文解释：设置快页内存或 EDO 内存的速度，以适应不同类型的内存。
19. FastMAtoRASDelay：设置内存地址(MemoryAddress)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间。
中文解释：设置内存地址到 RAS 之间的延迟时间，以适应内存的速度。
20. DRAMWriteBrustTiming：CPU 把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。
中文解释：设置 CPU 将数据写入高速缓存后再写入内存的延迟时间，以适应内存的速度。
21. FastRASToCASDelay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。
中文解释：设置 RAS 到 CAS 之间的延迟时间，以适应内存的速度。
22. DRAMLead-OffTiming：CPU 读/写内存前的时间。
中文解释：设置 CPU 读写内存前的时间，以适应内存的速度。
23. DRAMSpeculativeRead：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期。
中文解释：设置读取内存的时间，以提高系统性能。
24. DRAMDataIntegrityMode：选择内存校验方式是 Parity 或 ECC。
中文解释：选择内存校验方式，以检测内存错误。
25. RefreshRASAssertion：设置内存的行地址刷新时间周期。
中文解释：设置内存的行地址刷新周期，以提高系统性能。
26. RASRechargePeriod：内存行地址信号预先充电所需要的时间。
中文解释：设置内存行地址信号预先充电所需要的时间，以提高系统性能。
27. FastEDOPathSelect：设置选择对 EDO 内存。
中文解释：设置选择对 EDO 内存，以适应不同类型的内存。
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