Winbond-W24100.pdf

根据文件《Winbond-W24100.pdf》的内容，我们可以提炼出以下知识点： 1. Winbond W24100是一款低速、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），拥有128K×8位的存储组织结构。 2. 该存储器工作在单一5伏特电源下，并且采用了Winbond的高性能CMOS工艺技术生产。 3. Winbond W24100 SRAM的主要特点包括： - 低功耗：在活跃模式下功耗最大为385毫瓦。 - 存取时间：为70纳秒。 - 单一5伏电源供电。 - 完全静态操作。 - 所有输入和输出均直接兼容TTL电平。 - 三态输出。 - 具备电池备份操作能力。 - 数据保持电压最低为2伏特。 - 提供多种封装形式，包括32脚的600mil DIP、450mil SOP、标准型TSOP（8mm×20mm）以及小型TSOP（8mm×13.4mm）。 4. 引脚配置方面，W24100 SRAM有28个地址输入引脚（A0至A16）、8个数据输入/输出引脚（I/O1至I/O8）、2个片选输入引脚（CS1和CS2）、写使能输入引脚（WE）以及输出使能输入引脚（OE）。同时拥有供电（VDD）和接地（VSS）引脚，并包含一些未连接（NC）的引脚。 5. 存储器的块图显示了W24100内部的组织结构，包括1024行和128×8列的核心单元阵列，以及数据控制、时钟发生、行列译码器等部分。 6. 存储器的读写操作由片选（CS1和CS2）、写使能（WE）和输出使能（OE）这三个输入信号来控制。 7. 真值表详细描述了不同的控制信号组合如何决定SRAM的工作模式，包括未选中、输出禁用、读取和写入。 8. 直流特性（DC Characteristics）定义了Winbond W24100 SRAM的绝对最大额定值，包括供电电压至地电位的范围、输入/输出至地电位的范围、允许的功率损耗、存储温度范围和工作温度范围。 9. 在特殊条件下，比如超出绝对最大额定值，可能会损害芯片。文档中特别提醒用户注意不要让芯片暴露在超出规定条件的环境下。 以上内容详细地介绍了Winbond W24100 SRAM的基本特性、操作方式以及电气特性。这是一款主要用于工业标准应用的存储器，适用于需要低功耗和高可靠性的系统中。