TOSHIBA-TC51WHM616AXBN65.pdf
TC51WHM616AXBN65是一款由东芝生产的CMOS伪静态随机存取存储器(PSRAM),其规格为67,108,864位,组织形式为4,194,304字×16位。这款芯片利用了东芝的先进CMOS技术,提供了高密度、高速度和低功耗的特性。它可以在单一电源电压2.6V至3.3V下工作,确保与直接TTL兼容的所有输入和输出。 该PSRAM的主要特点包括: 1. **组织结构**:4,194,304个字×16位的存储容量,相当于64Mbit。 2. **电源电压**:支持2.6V到3.3V的单电源供电。 3. **兼容性**:所有输入和输出都与直接TTL逻辑兼容。 4. **深电源关闭模式**:在该模式下,内存单元数据无效,实现低功耗待机。 5. **页操作模式**:支持一次读取8个字的页读操作。 6. **SRAM兼容逻辑**:写入/读取(WE)引脚逻辑与SRAM兼容。 7. **功耗控制**:待机电流为100μA,深电源关闭待机电流仅为5μA。 **引脚分配**: 该器件采用P-TFBGA48-0811-0.75BZ封装,有48个引脚。其中包括地址输入(A0到A21)、数据输入/输出(I/O1到I/O16)、使能输入(CE1和CE2)、写使能输入(WE)、输出使能输入(OE)、数据字节控制输入(LB和UB)、电源(VDD)和接地(VSS)等。 **操作模式**: - **读取(Word)模式**:当CE1低、CE2高、OE低、WE高且LB和UB任意时,执行读取操作,数据从I/O1到I/O8输出。 - **读取(Lower Byte)模式**:当CE1低、CE2高、OE低、WE高且LB高、UB低时,仅读取并输出低8位数据(I/O9到I/O16)。 - **写入模式**:CE1低、CE2高、WE低、OE高时,可以进行数据写入。 - **电源状态**:电源开启时,器件正常工作;进入深电源关闭模式后,数据无效,功耗显著降低。 **块图**: 虽然没有给出具体的块图,但通常PSRAM的内部结构包含地址解码器、存储阵列、读写电路、控制逻辑以及电源管理单元等部分。 总结,TC51WHM616AXBN65是一款适用于需要高速、低功耗存储解决方案的设备,尤其适合于需要大容量暂存数据的应用场景,如嵌入式系统、消费电子设备等。其特性如SRAM兼容性、页操作和低功耗模式使其在设计中具有较高的灵活性和效率。
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