RDA Microelectronics, Inc. RDA5876 & 5875 Application Note V1.0
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XEN_OUT
该信号为省晶体设计下, BT 向系统索要 26MHz 时钟的 request 信号。推荐接到
系统 26M 晶体起振的使能控制信号。比如 MTK6225 的 T2 脚（SRCLKENAI，
并将该接口配置为相应的模式）。注：如果 Transceiver 芯片采用 AD6548，需
要将 XENOUT 同时接到 SRCLKENAI 和 EINT。详见 AD6548 共用晶体应用指
南。在非省晶体模式下，该信号为 NC。
GPIO_BT_PWR_EN
是芯片的使能信号，需要连到一个 GPIO 口上。电平状态需要通过软件来配置。
不要与其他信号复用。
VIO_PMU
需要连到 PMU 上一个常高的电平, 只有关机后才为低电平。
RF_SYSCLK_INPUT
在省晶体模式下，由 RF Transceiver 的 26M 时钟输出信号，并经过滤波器网络
送给蓝牙芯片。默认情况下用 100pF 电容串联接入 26MHz 即可。
Notes ：
I 原理图设计
1） 图中 UART_TX 对应于 BB 芯片 UART_RX (BB 输入 pin)；网络 UART_RX 对应于 BB 芯片 UART_TX (BB 输出 pin)。
2）
图中 BT 芯片 PCM_DOUT 对应于 BB 芯片 PCM_IN, BT 芯片 PCM_DIN 对应于 BB 芯片 PCM_OUT.
3） Pin7 的滤波电容容值不小于 4.7uF, 用于芯片内部输出电压的滤波电容。当该电压使用 LDO 模式供
电, 则 Pin9 的电感选 NC。当该电压使用 DCDC 模式供电时, 该电感感值不小于 4.7uH，可选用普
通电感，但允许电流不得小于 15mA, 一般封装为 0603 尺寸。 芯片默认设置使用 LDO 模式。
4） 上图中的 VIO_PMU 网络应直接连接到手机平台上 PMU 的常开 2.8V(或 3V)电平上， 如 VIO_PMU
或者 VDD 等。
5） 原理图中 NC 的 Pin 脚须保持悬空，不能接地。
6） 图中是缺省不使用 WIFI 握手信号的情况。本芯片支持与 WIFI 芯片的共存握手总线, 具体信息可见
下面信息。
7） VBAT 可直接接手机电池正极，如果选用 LDO 给芯片供电，则要求 LDO 的输出为 3.3V，其最大峰
值电流>=150mA。
8） 省晶体时，如果 Transceiver 选用 AD6548，则 XENOUT 需要接到
SRCLKENAI 和 EINT，作用分别
是让 26MHz 晶体起振和校准 26MHz 晶体的频偏。详细可参见 AD6548 共用晶体应用指南。
9） 图中括号内为 RDA5875 的器件值。
II PCB Layout 注意事项
1） 所有的电源滤波电容须尽可能靠近相应的芯片 pin 脚，并与参考地之间有良好的耦合路径。
2） 26MHz 晶体下方或附近不能有高速数据走线，同时 26MHz 时钟走线须良好屏蔽，晶体位置尽量靠
近芯片的 Pin14 (XIN) 和 Pin15 (XTAL) 。如果 26MHz 时钟来自系统时钟, 需确保 26MHz 时钟走线
屏蔽良好。
3） 32KHz 时钟走线须良好屏蔽。需注意手机主板上 32K 晶体的布局布线, 不能受到来自 GSM 的干扰。
4） PCM 走线须良好屏蔽。
5） 天线与芯片 RF in/out 之间的 RF 信号走线应走 50 欧姆阻抗线，尽可能短，尽可能走表层。
6） BT 射频前端走线尽量避开 pin14~pin16 相关信号的走线，以达到更好的射频性能。
7） 射频前端滤波器位置尽量靠近芯片的 RFin/out 端口。
8） 电源走线宽度约 10~15mil。靠近 VBAT (Pin9)放置 100nF 和 1nF 电容。 另外，靠近芯片附近放置
