SSM6N44FE,LM MOSFET Datasheet

SSM6N44FE是一款由东芝公司生产的场效应晶体管，具体为硅制N沟道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。这款器件适用于高速开关应用和模拟开关应用，其设计紧凑，非常适合高密度安装。在选择和使用SSM6N44FE时，有几个关键的电气特性和性能指标需要了解。 SSM6N44FE的开启电阻（RDS(ON)）是衡量其导通状态下的内阻的关键参数。在栅极电压VGS为4伏特时，最大RDS(ON)为4.0欧姆；当VGS为2.5伏特时，最大RDS(ON)为7.0欧姆。低的RDS(ON)意味着在导通状态下，器件的电压降较小，能提供更高的效率。 绝对最大额定值是确保器件安全操作的重要界限。SSM6N44FE的源漏电压（VDSS）为30伏，这意味着源极和漏极之间不应施加超过30伏的电压。栅极源电压VGSS的范围为±20伏，直流漏电流ID的最大值为100毫安，脉冲漏电流IDP的最大值为200毫安。此外，器件的连续耗散功率PD在25摄氏度下不超过150毫瓦，这需要考虑散热条件，例如安装在FR4电路板上。 在使用SSM6N44FE时，要注意即使在绝对最大额定值内运行，长时间高负载（如高温、大电流、高电压以及温度显著变化等）也可能显著降低其可靠性。因此，设计时应参考东芝半导体的可靠性手册和特定的可靠性数据来确保适当的寿命和稳定性。 在处理单个未安装在电路板上的SSM6N44FE时，必须注意静电保护。操作员应穿着防静电服装，与器件直接接触的容器和其他物品应采用防静电材料制成，以防止静电损伤敏感的半导体元件。 SSM6N44FE的标记和等效电路图也在描述中给出，它包含六个引脚，其中1、4为源极，2、5为栅极，3、6为漏极。该器件的商业生产始于2009年4月，并且提供了样品测试服务。 SSM6N44FE是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高速切换和低内阻的电子设备，设计时需考虑其电气特性和工作环境，以确保可靠性和效率。