norflash，nandflash，SDRAM的区别及作用
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2011-08-27
22:37:25
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Nandash 启动，norash 启动，SDRAM 总结
S3C2440 的启动时读取的第一条指令是在 0x00 上，分为成 nand ash 和 nor ash 上
启动。
nand ash：适合大容量数据存储，类似硬盘；
nor ash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；
sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，类似内存。
Nor ash 的有自己的地址线和数据线，可以采用类似于 memory 的随机访问方式，在
nor ash 上可以直接运行程序，所以 nor ash 可以直接用来做 boot，采用 nor ash
启动的时候会把地址映射到 0x00 上。
Nand ash 是 IO 设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，所
以不能像 nor ash、内存一样随机访问，不能 EIP（片上运行），因此不能直接作为
boot。
NANDFlash 启 动 ： NANDFlash 控 制 器 自 动 把 nandash 存 储 器 的 前 4K 载 到
Steppingstone（内部 SRAM 缓冲器），并把 0x00000000S 设置为内部 SRAM 的起始
地址，cpu 从内部 SRAM 的 0x00000000 开始启动，这个过程不需要程序干涉。
（cpu 会自动从 NAND ash 中读取前 4KB 的数据放置在片内 SRAM 里（s3c2440
是 soc ） ， 同 时 把 这 段 片 内 SRAM 映 射 到 nGCS0 片 选 的 空 间 （ 即
0x00000000）。 cpu 是从 0x00000000 开始执行，也就是 NAND ash 里的前 4KB
内容。因为 NAND FLASH 连地址线都没有，不能直接把 NAND 映射到 0x00000000，
只好使用片内 SRAM 做一个载体。通过这个载体把 nandash 中大代码复制到 RAM(一般
是 SDRAM)中去执行）。
程序员要完成的工作是把最核心的代码放在 nandash 的前 4K 中。4K 代码要完成
S3C2440 的核心配置以及启动代码（U-boot）的剩余部分拷贝到 SDRAM 中。
这 4K 的启动代码需要将 NANDFlash 中的内容复制到 SDRAM 中执行。NANDFlash
的前 4K 空间放启动代码，SDRAM 速度较快，用来执行主程序的代码。ARM 一般从 ROM
或 Flash 启动完成初始化，然后将应用程序拷贝到 RAM，然后跳到 RAM 执行。
NORash 启动：支持 XIP 即代码直接在 NOR Flash 上执行，无需复制到内存中。这是由
于 NORFlash 的接口与 RAM 完全相同，可随机访问任意地址数据。NORash 速度快，数据
不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，norash 可像内存一样读操作，
但擦初和写操作效率很低，远不及内存，一般先在代码的开始部分使用汇编指令初始化外
接的的内存部件（外存 SDRAM），最后跳到外存中继续执行。对于小程序一般把它烧到
NANDash 中，借助 cpu 内部 RAM（SRAM）直接云行。
nor ash 被映射到 0x00000000 地址（就是 nGCS0，这里就不需要片内 SRAM 来
辅助了，所以片内 SRAM 的起始地址还是 0x40000000）. 然后 cpu 从 0x00000000 开
始执行（也就是在 Norfalsh 中执行）。
。NORash 速度快，数据不易失，可作为存储并执行起到代码和应用程序的存储器，
norash 可像内存一样读操作，但擦初和写操作效率很低，价格很昂贵。 SDRAM 和
nandash 的价格比较适中。根
据这些特点，一些人产生了这样一种想法：外部 nandash 中执行启动代码，SDRAM
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