NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
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2011-12-17
09:24:13
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ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是 Read Only Memory 的缩写，
RAM 是 Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可
以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM 就是计算
机的内存。
RAM 有两大类，一种称为静态 RAM（Static RAM/SRAM），SRAM 速度
非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛
刻的地方使用，譬如 CPU 的一级缓冲，二级缓 冲。另一种称为动态 RAM
（Dynamic RAM/DRAM），DRAM 保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，
不过它还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜
很 多，计算机内存就是 DRAM 的。
DRAM 分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、
DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等，这里介绍其中的一种 DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作 DDR SDRAM，这种改进型的 RAM
和 SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这
样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用 得最多的内存，而且它有着
成本优势，事实上击败了 Intel 的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多
高端的显卡上，也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加
速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提
到的计算机的内存指的是动态内存（即 DRAM），动态内存中所谓的"动态"，
指的是当我们将数据写入 DRAM 后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一
个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个 DRAM 的存储单元存储 的是 0 还是 1 取决
于电容是否有电荷，有电荷代表 1，无电荷代表 0。但时间一长，代表 1 的电容
会 放电，代表 0 的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对
电容进行检查，若电量大于满电量的 1／2，则认为其代表 1，并把电容充满电；
若电量 小于 1／2，则认为其代表 0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
ROM 也有很多种，PROM 是可编程的 ROM，PROM 和 EPROM（可擦除
可编程 ROM）两者区别是，PROM 是 一次性的，也就是软件灌入后，就 无法
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