反激式开关电源RCD吸收电路的设计!!!.pdf
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2009-08-15
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反激式开关电源 RCD 吸收电路的设计
power1956 原创
wang1jin 收藏.
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对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天
讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主 MOS 管最大反峰，又要 RCD 吸收回路功耗最小）
在讨论前我们先做几个假设，
① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；
② RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；
③ 在 调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算：
一﹑首先对 MOS 管的 V
D
进行分段：
ⅰ，输入的直流电压 V
DC
；
ⅱ，次级反射初级的 V
OR
；
ⅲ，主 MOS 管 V
D
余量 V
DS
；
ⅳ，RCD 吸收有效电压 V
RCD1
。
二﹑对于以上主 MOS 管 V
D
的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压 V
DC
。
在计算 V
DC
时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。
V
DC
＝V
AC
*√2
ⅱ，次级反射初级的 V
OR
。
V
OR
是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依 Vo =5.25V 计算），
二极管 V
F
为 0.525V（此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下 V
F
值）．
V
OR
＝(V
F
+Vo)*Np/Ns
ⅲ，主 MOS 管 V
D
的余量 V
DS
．
V
DS
是依 MOS 管 V
D
的 10%为最小值．如 KA05H0165R 的 V
D
=650 应选择 DC65V．
V
DC
＝V
D
* 10%
ⅳ，RCD 吸收 V
RCD
．
MOS 管的 V
D
减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 V
RCD
的最大值。实际选取的 V
RCD
应为最大值的 90%（这里主要是考虑到
开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
V
RCD
＝(V
D
-V
DC
-V
DS
)*90%
注意：① V
RCD
是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② V
RCD
必须大于 V
OR
的 1.3 倍．（如果小于 1.3 倍，则主 MOS 管的 V
D
值选择就太低了）
③ MOS 管 V
D
应当小于 V
DC
的 2 倍．（如果大于 2 倍，则主 MOS 管的 V
D
值就过大了）
④ 如果 V
RCD
的实测值小于 V
OR
的 1.2 倍，那么 RCD 吸收回路就影响电源效率。
资源评论
泡泡SOHO2023-07-28作者对于电路设计中的关键问题进行了深入剖析，并提出了一些实用的解决方案，让读者能够更好地应用到实际工程中。
王佛伟2023-07-28总体而言，这是一份非常实用、有针对性的文件，能够帮助读者更好地理解反激式开关电源RCD吸收电路的设计，并在实际应用中取得良好效果。
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滚菩提哦呢2023-07-28文中的内容通俗易懂，语言简练，且带有一定的实践案例，能够让读者更好地理解设计原理和实际应用。
