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石墨烯的能带结构及独特的电学电学性能;石墨烯FET的优势和缺点;提高石墨烯晶体管开关比低的方法(如何解决石墨烯FET存在的问题);石墨烯的制备方法及其各自的优缺点;MEMS加速度计、陀螺仪、喷墨打印机的打印头、数字微镜器件的原理;MEMS器件;使用电子耗尽层理论解释半导体金属氧化物气体传感器的原理;电子皮肤的概念、特点及其应用场景;真空微纳电子器件特点;冷阴极技术;如何理解More Moore及More Than Moore。
介绍了石墨烯作为电子器件材料的优势和缺点;以及石墨烯的四种常见制备方法及其各自的优缺点;还有提高石墨烯晶体管开关比低的方法
本资源使用电子耗尽层理论解释了半导体金属氧化物气体传感器的原理;举例说明了一种MEMS温度或湿度或光传感器的原理
本资源包括微纳电子器件课程的全部课后思考题,包括等比例缩小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heat death”、MOS中绝缘层减薄带来的负效应、EOT的概念 、“HKMG”、 窄沟道效应 、热载流子(HCE)效应、源漏穿通及次开启抑制措施、 迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP,3D IC, SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移现象等内容,总结非常详细,内容十分丰富,特别适合期末考试复习使用。