InP1-xBix中Bi原子的纳米级分布
InPBi中Bi的纳米级分布是通过原子探针层析成像和透射电镜确定的。 沿生长方向和在膜平面内,Bi原子的分布均不均匀。 在InPBi层的底部(靠近InPBi / InP界面)观察到统计上较高的Bi含量区域。 在(-111)和(1-11)平面上接近Bi.InPBi / InP界面的Bi-rich V形壁和在(1-10)平面上具有大约周期性的准周期性Bi-rich纳米壁。观察到100nm。 提出了一种生长模型来解释这些独特的Bi相关的纳米尺度特征的形成。 这些特征会严重影响InPBi外延层的深层。 具有或不具有这些Bi相关的纳米结构的InPBi层中的区域表现出不同的光学性质。