腐蚀、抛光

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腐蚀、抛光

: Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究 (2010年) 采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-HzOz体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明：锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面...
评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：2.75MB 上传时间：2021-04-22

: 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc
评级：0 浏览量：142 收藏量：0 资源大小：29KB 上传时间：2021-06-14

: 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.zip-综合文档硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.zip
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：6KB 上传时间：2021-05-19

: 化学机械抛光（CMP）最终的抛光步骤是一个化学腐蚀和机械磨擦的结合。晶圆装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转。抛光垫材料通常是有填充物的聚亚安酯铸件切片或聚氨酯涂层的无纺布。二氧化硅抛光液悬浮在适度的含...
评级：0 浏览量：601 收藏量：0 资源大小：39KB 上传时间：2020-12-09

: InSb芯片表面抛光及腐蚀研究.pdf InSb芯片表面抛光及腐蚀研究.pdf
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：875KB 上传时间：2021-07-26

: 增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的...
评级：0 浏览量：157 收藏量：0 资源大小：7.09MB 上传时间：2021-01-26

: 单晶太阳能电池双面抛光工艺研究为了去除硅片表面损伤和脏污,提高单晶电池背钝化效果,采用KOH溶液对单晶原硅片进行了双面抛光。研究了刻蚀深度和金字塔尺寸的关系以及KOH质量分数、温度和反应时间对刻蚀深度和金字塔尺寸的影响。研究结果表明:...
评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：173KB 上传时间：2020-06-22

: 半导体芯片制造-抛光工艺硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf 化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf ] 化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc 抛光技术及抛光液.docx 直径12英寸...
评级：5 浏览量：219 收藏量：2 资源大小：29.51MB 上传时间：2022-06-13

: 纯镍金相腐蚀中化学抛光方法的研究 (2014年) 对纯镍化学抛光方法中抛光剂的组成、抛光温度和抛光时间进行了研究....纯镍抛光的较佳腐蚀液配方的体积分数为正磷酸4.8%、硫酸66.7%和盐酸28.5%,腐蚀时间为15 min;该方法可以一次进行多组试样的化学抛光.
评级：0 浏览量：25 收藏量：0 资源大小：295KB 上传时间：2021-05-16

: 芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集.zip 芯片制造技术-半导体抛光类技术资料合集： 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 666化学机械抛光技术的...硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf
评级：5 浏览量：293 收藏量：3 资源大小：29.51MB 上传时间：2021-07-14

: 低压力下碱性抛光液平坦化的研究通过对比实验，研究得出在静态条件下3inch铜的平均腐蚀速率是相当低的，仅为56Å/min，与之对应的3inch铜在低压力下碱性环境的CMP抛光去除速率就高很多，可以达到4000Å/min左右，从而证明了低压力下碱性抛光液平坦...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：794KB 上传时间：2014-06-19

: 铜抛光液的电化学行为研究 (2008年) 为分析用于超大规模集成电路(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)所使用抛光液的添加剂对铜硅fi-的氧化、溶解和腐蚀抑制行为，以双氧水为氧化剂，柠檬酸为络合剂，苯丙三唑(BTA)为腐蚀抑制剂，在pH5的条件下进行抛光液的电化...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：259KB 上传时间：2021-05-28

: 行业分类-电子-CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用的说明分析.rar 行业分类-电子-CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用的说明分析.rar
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：242KB 上传时间：2021-09-25

: 化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易...抛光溶液温度低于30 ℃时难以发挥腐蚀作用，但当溶液的起始温度升高至35 ℃时，获得了较好的抛光效果。采用质量分数为1%的NaOH溶液制绒且抛光时间为30 s时，太阳电池性能较佳。
评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：7.27MB 上传时间：2021-02-22

: 半导体芯片制造智能制造系列资料 ----- 半导体抛光 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 666化学机械抛光技术的研究进展.pdf 【海量机械3D模型图纸下载】.url...硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf
评级：0 浏览量：142 收藏量：0 资源大小：30.1MB 上传时间：2022-05-25

: 光学零件在抛光过程中表面稳定性的研究 (1991年) 本文报导了近期光学玻璃零件在抛光过程中表面稳定性研究概况,文中从玻璃的腐蚀机理出发,分析了光学玻璃零件在抛光过程中产生腐蚀的原因,提出了解决光学玻璃零件在抛光过程中表面稳定性的方法。
评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：1.72MB 上传时间：2021-04-24

: 激光熔覆技术在高腐蚀环境下液压支架的试验研究基于激光熔覆技术在高腐蚀性煤矿环境下液压支架中的应用情况,选取铁基不锈钢为研究对象,采用ICP-AES法测试不锈钢中的化学成分,以金相组织、SEM...通过对成本、效率分析研究,认为车-磨-抛光是激光熔覆最优的加工方案。
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：1.89MB 上传时间：2020-05-22

: 气氛和温度对AION透明陶瓷热腐蚀的影响 (2010年) 将所得到的陶瓷样品研磨抛光后分别在氮气(常压)气氛下1750℃,1680℃,1650℃和真空 (<1. 0 × 10-3Pa)气氛下1680℃,1650℃进行热腐蚀．保温时间均为2小时．然后将上述经热腐蚀后的各样品用扫描电子显微镜对其腐蚀...
评级：0 浏览量：101 收藏量：0 资源大小：222KB 上传时间：2021-06-05

: 铜布线化学机械抛光技术分析 (2005年) 对用于甚大规模集成电路（ULSI）制造的关键平坦...在分析抛光液组成成分的基础上，总结了现有的以Hzoz为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况；指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：387KB 上传时间：2021-04-22

: 钛合金的环保电化学抛光工艺 (2009年) 该工艺所用溶液由无水乙醇、乳酸、高氯酸和高氯酸钠组成，将Ti-10V-2Fe-3Al钛合金在直流电源恒电流模式下电化学抛光，可以通过改变抛光时间、电流密度和高氯酸浓度等参数控制腐蚀深度。分别在体积分数为5%，10%和15%...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：535KB 上传时间：2021-05-23

: 腐蚀条件及稀土含量对铝箔腐蚀形貌和比电容的影响* (2010年) 以0．11 mm厚的不同Ce含量的稀土铝箔和高纯铝箔为研究对象，依次经过抛光前处理、电解抛光、直流电解腐蚀、腐蚀后处理及腐蚀比电容测试和腐蚀形貌观察．结果表明，外加电流、腐蚀液成分和温度以及腐蚀时间是影响铝箔...
评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：468KB 上传时间：2021-05-30

: 缓蚀剂在镁合金化学机械抛光过程中的作用 (2015年) 采用能谱仪XP S分析缓蚀剂在镁合金表面形成的膜层成分,并通过腐蚀试验、电化学分析和磨粒粒径测试的手段分析了抛光液中SDBS在镁合金化学机械抛光过程中的作用机理。结果表明:当SDBS含量为1.0%时,抛光液中SDBS可有效...
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：1018KB 上传时间：2021-06-18

: 低压下碱性铜抛光液对3 00mm多层铜布线平坦化的研究* (2012年) 提出了一种新型碱性铜抛光液，其不含常用的腐蚀抑制剂，并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下，铜的腐蚀速率较低仅为2nm／min。在低压10．34kPa时，铜的平均去除速率可达633．3nm／min，片内非均匀性...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：231KB 上传时间：2021-05-18

: 外延辅助工艺课程内容： 1 氯化氢抛光工艺 1.1 抛光目的 1.2 氯化氢抛光工艺 1.2.1氯化氢抛光方法 1.2.2 氯化氢抛光步骤 1.3 腐蚀反应和腐蚀速率 1.3.1 腐蚀反应 1.3.2有关腐蚀速率 1.4 讨论 1.4.1 腐蚀速率与氯化氢气体分压有关...
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2020-12-09

: H2O2在精抛过程中对铜布线平坦化的影响* (2014年) 实验结果表明，随着H2O2含量的增加，铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层Ta/TaN均有小幅度的降低，但在MIT854布线片上精抛实验结果表明，碟形坑随着H2O2含量的增加逐渐降低，加入5%（体积分数）H2O2精...
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：3.48MB 上传时间：2021-05-18

: LED面板培训资料2017324.pptx 1.3 6063特性 6063合金中的主要合金元素为镁与硅，具有加工性能极佳、优良的可焊接性、挤出性及电镀性、良好的抗腐蚀性、韧性、良好的导热性，易于抛光、上色膜，阳极氧化效果优良，是典型的挤压合金。 2.LED光源：...
评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：8.62MB 上传时间：2023-06-06

: 硅衬底上锗硅合金光波导设计及工艺的优化考虑报道用射频加热化学汽相沉积法制备Si/GeSi/Si大断面单模脊形光...腐蚀液、抛光液的选取要保证脊侧壁及波导端面的优良镜面。上述设计及工艺优化使光波导的实测性能显著提高，离散性降低。最佳传播损耗已降到0.3 dB/cm。
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：425KB 上传时间：2021-02-11

: PVT法钨坩埚系统中自发生长自支撑AlN单晶及其表征分析不同颜色的AlN晶粒经机械切割及化学机械抛光(CMP)后,形成高表面质量的C轴取向抛光片。通过化学湿法腐蚀和SEM表征发现,淡黄色晶粒为Al极性晶体,暗棕色晶粒为N极性晶体,淡黄-暗棕混合色晶粒为Al/N混合极性晶体,其内部...
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：2.42MB 上传时间：2021-01-26

: 传感技术中的mems压力传感器主要的工艺工艺步骤为：（1）衬底硅片进行腐蚀，腐蚀出要求的密封腔；（2）把衬底和另外一个硅片键合，并经过1000~1200℃的高温退火，使键合界面达到一体化；（3）把键合好的硅片进行减薄和抛光达到要求的厚度（5~25...
评级：0 浏览量：242 收藏量：1 资源大小：51KB 上传时间：2020-12-09

: 晶体准备截断晶体从单晶炉里出来以后，到最终的晶圆会经历一系列的步骤。第一部是用锯子截掉头尾。直径滚磨在晶体生长过程中，整个晶体长度中直径有...在两种方法中，晶体的一端都要被腐蚀或抛光以去除损伤层。下一步晶体
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: 一文带你了解半导体硅晶片　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等...
评级：0 浏览量：487 收藏量：0 资源大小：188KB 上传时间：2021-01-20

: 电火花电解复合切割多晶硅的表面形貌及减反射特性研究 (2009年) 硅片切割表面具有深径比为1：1的倒锥形微坑结构，且有明显的分形特性，与抛光和线锯切割硅片表面相比，分形维数小，粗糙度高，有较好的减反射特性。微坑表面通过电化学作用形成一层硅氧化物薄膜，起到了减反射作用。...
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: 半导体刻蚀设备行业深度报告对硅锭进行一系列机械加工、化学处理、表面抛光和质量测量后，可以得到用于下一步晶圆加工的硅片。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的复制掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀。这层掩蔽...
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: 基础电子中的一文带你了解半导体硅晶片　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等...
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: 高温合金锯齿形切屑绝热剪切带内材料组织演变及形成机理 (2014年) 对铣削加工中得到的切屑进行镶嵌、抛光、腐蚀，得到其金相显微组织照片，使用Digimizer测量软件对切屑形态各参数进行测量，研究了铣削速度对锯齿化程度和锯齿齿距的影响。通过得到的金相组织照片，对不同铣削参数下...
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: 电源技术中的智能功率电路图1.28 键合智能功率电路（1）在低掺杂的n-硅片上局部腐蚀，形成深度~3μm的浅槽，离子注入在浅槽的底部的下面形成N+的掩埋层。接着，热氧化使硅片的表面生长一层厚度大于2µm的氧化层。（2）抛去氧化后硅片表面...
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: 聚晶金刚石的Nd: YAG激光切割与电火花线切割损伤分析 (2010年) 采用近红外Nd：YAG激光切割方法与电火花线切割方法进行了聚晶金刚石（polycrystalline diamond compacts, PDC）切割加工实验，并分别利用细砂纸打磨、金刚石微粉抛光以及王水腐蚀等表面处理方法对试件进行了表面处理...
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: T8钢中珠光体表面浮凸观察* (2008年) 对预先抛光3mm厚的T8钢试样进行真空热处理，加热到1050℃，保温40min，炉冷。随后分别用Quanta-400型环境扫描电镜、Nanofirst-100扫描隧道显微镜和光学显微镜，对未浸蚀的试样观察分析；接着对试样进行腐蚀，进行金...
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: 厉害了，自制手表温度计，可穿戴温度计，有源码以及PCB文件-电路方案电路板用AD绘制，激光打印到转印纸，再用熨斗烫到单面电路板，用环保腐蚀剂腐蚀，最后用砂皮抛光。一般TSSOP20封装的单片机芯片，对初学者来说焊接比较困难，建议用热风枪和焊浆，涂一涂，吹一吹就好了，以后还...
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: 锌铁合金三价铬蓝白钝化工艺 (2011年) 在酸性条件下对锌铁合金进行钝化，其工艺流程为：除油、浸蚀、抛光、电镀和三价铬钝化。采用正交试验讨论了钝化液中各组分及工艺条件对钝化效果的影响，得出了最佳钝化配方。对钝化结果进行结合力和盐雾试验，结果...
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: 背处理在许多情况下，只是晶圆的正面经过充分的化学机械抛光。背面留下从粗糙或腐蚀到光亮的外观。对于某些器件的使用，背面可能会受到特殊的处理导致晶体缺陷，叫做背损伤。背损伤产生位错的生长辐射进入晶圆，这些位错起...
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: 论文研究 - 微波等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜及其生物相容性由于其独特的特性，例如高硬度，透光率，导热性，化学稳定性和耐腐蚀性，在过去的二十年中，钻石引起了极大的关注。这些特殊的性能使金刚石膜成为用于切削工具，微波窗，电子设备散热器和金刚石电极的有前途的材料...
评级：0 浏览量：260 收藏量：0 资源大小：1.59MB 上传时间：2020-05-29

: SOI波长信号分离器的研制根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的SOI材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出SOI波长信号分离器，在波长为1.3 μm时，其插入损耗为4.81 dB，串音小于-18.6 ...
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