IGBT传导

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IGBT传导

: PWM 电机驱动系统传导干扰机理分析摘要：针对实际系统将电机系统的交流电源、整流环节、逆变环节、电机作为整体进行分析，为了分析方便将传导干扰分为共模干扰和差模干扰进行研究，分析了PWM电机驱动系统中存在的主要共模和差模干扰通道，由于传导...
评级：0 浏览量：308 收藏量：1 资源大小：517KB 上传时间：2021-01-20

: 功率循环测试助力车用IGBT性能提升汽车功率电子组件(例如IGBT)的设计必须能负荷数千小时的工作时间和上百万次的功率循环，同时得承受高达 200℃的温度。因此产品的可靠性特别关键，而同时故障成本也会是一个很大的问题。随着工业电子系统对能量需求的...
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：353KB 上传时间：2021-01-14

: 大功率变频器传导骚扰测试方法设计与实现变频器由于其IGBT高频运行方式,不可避免地产生了大量的电磁噪声。基于线性阻抗稳定网络(LISN)的测量方法多适用于中小功率变频器,对于大功率变频设备如果采用该方法,测试设备将非常昂贵。从传导发射测试的实质出发,...
评级：0 浏览量：132 收藏量：0 资源大小：825KB 上传时间：2020-06-30

: 工业电子中的PWM 电机驱动系统传导干扰机理分析摘要：针对实际系统将电机系统的交流电源、整流环节、逆变环节、电机作为整体进行分析，为了分析方便将传导干扰分为共模干扰和差模干扰进行研究，分析了PWM电机驱动系统中存在的主要共模和差模干扰通道，由于传导...
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：364KB 上传时间：2020-11-07

: IR全新1200V IGBT为电机驱动应用提升功率密度和效率　全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷（Qrr）的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。　IR亚太区销售副...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：179KB 上传时间：2021-01-20

: 飞兆全新1000V NPT-Trench IGBT提供突出耐雪崩性能飞兆半导体公司 (FAIRCHILD) 推出的全新1000V/60A IGBT器件，采用TO-264无铅封装，具有专为电磁感应加热 (IH)应用而优化设计的开关速度 (典型值为tf = 130ns)、低饱和电压以及能限制传导损耗的性能。此外，该新品还...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：28KB 上传时间：2020-11-26

: 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS （零电压转换）拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：114KB 上传时间：2020-07-25

: 电源技术中的ST PowerMESH IGBT新系列产品 STMicro推出PowerMESH IGBT工艺的新系列产品，更加完善了其在家用电机控制、...为了避免交叉传导环境，优化了反馈电容－输入电容比。其中，关断损耗还包括了遗留电流以及二极管恢复能损。STGW20NC60VD以TO－247封装，组
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：39KB 上传时间：2020-12-10

: 基于IGBT热计算的最大化电源设计效用解决方案能够单向传导电流的叫做二极管，计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下，外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用...
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：365KB 上传时间：2020-08-25

: 汽车电子中的功率循环测试助力车用IGBT性能提升汽车功率电子组件(例如IGBT)的设计必须能负荷数千小时的工作时间和上百万次的功率循环，同时得承受高达 200℃的温度。因此产品的可靠性特别关键，而同时故障成本也会是一个很大的问题。随着工业电子系统对能量需求的...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：270KB 上传时间：2020-10-16

: 工业电子中的IR全新1200V IGBT为电机驱动应用提升功率密度和效率　全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷（Qrr）的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。　IR亚太区销售...
评级：0 浏览量：138 收藏量：0 资源大小：134KB 上传时间：2020-10-20

: 电源技术中的飞兆发布全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件这些IGBT同时采用Field Stop(场截止)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道栅)技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比，FGA20N120FTD可减小25% 的导通损耗、...
评级：0 浏览量：105 收藏量：0 资源大小：49KB 上传时间：2020-11-21

: ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列” 知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。该系列产品非常适用于电动压缩机※2）的逆变器电路和PTC加热器※3）的开关电路，而且...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：435KB 上传时间：2021-01-13

: ROHM开发出业界高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT “RGTV/RGW系列” 知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共21种机型。这些产品非常适用于UPS（不间断电源）、焊接...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：236KB 上传时间：2021-01-20

: 电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：111KB 上传时间：2020-10-22

: 同步降压 MOSFET 电阻比的正确选择在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：142KB 上传时间：2020-10-22

: 同步降压功率级中MOSFET电阻比的正确选择在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和FET电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于FET选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：140KB 上传时间：2020-10-22

: 脉冲电源的驱动设计 O输出驱动具有一个高的脉冲电流缓冲阶段，设计用于最小驱动的交叉传导。在高频应用中，可以将传播延迟与简化相匹配。该浮动通道可用于驱动一个n通道功率MOSFET或IGBT在高侧配置，操作高达500或600伏特
评级：0 浏览量：148 收藏量：0 资源大小：140KB 上传时间：2018-01-03

: Simscape 计算降压转换器中的损耗：SimPowerSystems 模型用于计算降压转换器中的开关和传导损耗。... 根据所选 IGBT 模块的热特性，计算开关损耗和传导损耗。 Simscape 基础库的热模块用于模拟散热器提供的散热。仿真说明了开关频率和负载对降压转换器总损耗的影响。您可以在三种不同的商用 IGBT 模块中进行选择。...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：1.07MB 上传时间：2021-05-30

: 同步降压MOSFET电阻比的正确选择在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和FET电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于FET选择的非常有用的起始点。
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：116KB 上传时间：2020-10-22

: 开关电源电磁兼容研究由于开关电源工作频率高，内部产生很快的电流、电压变化，即dv/dt和di/dt，导致开关电源模块将产生较强的谐波干扰和尖峰干扰，并通过传导、辐射和串扰等耦合途径影响自身电路及其它电子系统的正常工作，当然其本身...
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2020-07-22

: 如何保护汽车逆变器设计中的功率晶体管随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：85KB 上传时间：2020-08-07

: 详解开关电源电磁兼容由于开关电源工作频率高，内部产生很快的电流、电压变化，即dv/dt和di/dt，导致开关电源模块将产生较强的谐波干扰和尖峰干扰，并通过传导、辐射和串扰等耦合途径影响自身电路及其它电子系统的正常工作，当然其本身...
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：126KB 上传时间：2020-07-19

: 电源技术中的PWM 应用中的低电压反馈 MOSFET 并联可降低漏极到源极的导通电阻，并减少传导损耗。但是，随着并联器件的增多，门极充电的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的内部阻抗大大低于驱动级，因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗其形式都表现为...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：67KB 上传时间：2020-12-13

: 使用 SimPowerSystems 和 Simscape 计算三相三电平逆变器的损耗：SimPowerSystems(SPS) 和 Simscape 用于... 根据所选 IGBT 模块的热特性，计算开关损耗和传导损耗。 Simscape 基础库的热模块用于模拟散热器提供的散热。仿真说明了 3 相 3 电平逆变器可实现的输出功率与开关频率的关系，并将结果与制造商的参考文件进行...
评级：0 浏览量：408 收藏量：2 资源大小：1.2MB 上传时间：2021-06-01

: 功率半导体行业报告：技术推进应用驱动随着电压的增大，MOSFET 的导通电阻也变大，因而其传导损耗比较大，尤其是在高压应用场合中。相较而言，IGBT 的导通电阻较小。 IGBT 多应用于高压领域，MOSFET 主要应用在高频领域。从产品来看
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：1.61MB 上传时间：2021-03-20

: 基于赛元两款MCU的触摸电磁炉整体方案　一般厨具是通过本身发热，热量再传导到锅具，电磁炉不是由本身产生热量对食物进行加热，电磁炉将交流电转换成直流电压，再通过励磁线圈加到IGBT上，IGBT受驱动控制导通和截止，励磁线圈有频率为20-50KHz的电流流过...
评级：0 浏览量：173 收藏量：0 资源大小：294KB 上传时间：2021-01-19

: 汽车电机驱动功率模块的冷却解决方案混合动力汽车（HEV）或充电电动汽车（PEV）通常使用电机驱动功率模块，例如IGBT模块，这些模块会产生非常大的热量，通常大约为1，000W到2，000W。冷却这些汽车电子功率模块的有效方法是水冷，而不是风冷，因为水的热...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：102KB 上传时间：2021-01-20

: 单片机与DSP中的基于赛元两款MCU的触摸电磁炉整体方案　一般厨具是通过本身发热，热量再传导到锅具，电磁炉不是由本身产生热量对食物进行加热，电磁炉将交流电转换成直流电压，再通过励磁线圈加到IGBT上，IGBT受驱动控制导通和截止，励磁线圈有频率为20-50KHz的电流流过...
评级：0 浏览量：222 收藏量：0 资源大小：228KB 上传时间：2020-10-19

: 开关电源基于补偿原理的无源共模干扰抑制技术　0 引言由于MOSFET及IGBT和软开关技术在电力电子电路中的广泛应用，使得功率变换器的开关频率越来越高，结构更加紧凑，但亦带来许多问题，如寄生元件产生的影响加剧，电磁辐射加剧等，所以EMI问题是目前电力电子...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：213KB 上传时间：2021-02-03

: 消费电子中的两款极高性价比的电磁炉系统设计方案一、电磁炉的基本工作原理一般厨具是通过本身发热，热量再传导到锅具，电磁炉不是由本身产生热量对食物进行加热，电磁炉将交流电转换成直流电压，再通过励磁线圈加到IGBT 上，IGBT受驱动控制导通和截止，励磁...
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：107KB 上传时间：2020-10-20

: SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT，被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗，但不同的应用，其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的...
评级：0 浏览量：286 收藏量：2 资源大小：191KB 上传时间：2021-07-07

: 弧焊逆变电源电磁骚扰抑制 (2008年) 以IGBT为主功率开关的弧焊逆变电源在工作时会产生强烈的电磁骚扰，为了对其进行抑制，依据 CISPR 11规定的测试方法和标准限值，分别采取滤波、屏蔽和接地等措施，并对比了相同工况下硬开关和软开关对传导骚扰和辐射...
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：282KB 上传时间：2021-05-14

: 电源技术中的电源功率器件的散热在稳压电源中主元器件采用功率半导体器件，如功率晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等，在使用这些元器件时最重要的是如何使产生的热量有效地散发出去，以得到其工作的高可靠性...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：38KB 上传时间：2020-11-12

: 电源技术中的实现隔离式半桥栅极驱动器的设计途径　采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制输出功率。驱动器必须具备低输出阻抗以减少传导损耗，同时还须具有快速开关能力以减少...
评级：0 浏览量：117 收藏量：1 资源大小：248KB 上传时间：2020-10-20

: 元器件应用中的Avago新型智能门驱动光电耦合器 ACPL-339J为面向MOSFET缓冲器高电压和低电压侧门驱动应用进行优化，具有双输出的1A电流输出门驱动光电耦合器，ACPL-339J内置定时主动控制电路，可以避免交越传导并极小化MOSFET缓冲电路的开关损耗。　基于通过市场...
评级：0 浏览量：116 收藏量：0 资源大小：70KB 上传时间：2020-10-20

: 开关电源设计逆变器正激变换器电源设计参考变压器PCB设计规范等238个电源类设计相关资料合集.zip EMC设计讲座(三)传导式EMI的测量技术.pdf EMI滤波器设计原理.pdf fairchild AC TO DC设计指南.pdf IC设计实例.pdf L6561的宽范围设计指南.pdf LC,RC滤波电路设计.pdf LCD箝位正激变换器箝位电路优化设计 .pdf PCB...
评级：5 浏览量：1365 收藏量：17 资源大小：189.88MB 上传时间：2021-09-18

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