华为技术_电容选型

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华为技术 电容选型 陶瓷电容 Polymer钽电容 MnO2钽电容和MLCC 电压降额 固有特性
隔直耦合电根据信号频率选择合适的电容,考虑到初始谷差、布局设计等误差影响,选择的电容的谐振点应稍高于信号的频率, 俣证工作频率在电容的容性范围内,这样电容容许通过的电流最大。 RC定时和延时电路尽量采用陶瓷电睿(NPO或CoG介质):或冼用相同容量的钽电容、薄膜电容;做好WCCA分析,保证在最坏情况下都能满足电路要求。 上下拉电阻或串联电阻的阻值尽可能选小,使电容的绝缘阻抗远远大于电阻阻值 陶瓷电容 针对微裂纹缺陷导致的漏电,釆采用2^电容串联的模式来増人电容的缒缘殂抗和减少漏电发生机率 及采用薄膜电容或高Q、高压等较为可靠的陶瓷电容来减小漏电发生的机率 安规MLCC电寳一般都有采用悬浮电极、增人内电极与端电极距离等防短路措施。 我司禁用1812以上尺寸陶瓷电容与高压场合需要一定的安规距离需求矛盾。实际1812尺寸陶瓷电睿如果采取开路模式结构没计,其危害不会这么严重 电容规格为2000V以上尺寸为1206或1210时(如08070439)若用于有频繁高压(>1000y)出现的场合,需要进行表面浍敷,防止表面飞弧产生 典型的低电高狙抗失效除」导致市场运行问遨在返回后可能会被确认为NFF(无缺陷发现) 这是由这种间断短路或绝缘阻抗的缓慢退化导致的。因此市场返回单板故匱尢法重现吋,应怀疑板上关键位置的陶瓷电容是否有低电压失效的可能 如果应用场合温度较高据陶瓷电容的介质材料,耐熟冲击能力的顺序为COG>NPO>X7R>Z5UNY5V 可靠性ⅣY5√介质陶瓷电容85℃时容值减小约8%,对容伯敏感的高涢应用场合不建议使用 如果使用烙铁焊接殉瓷电容,必狐按照规范操作:烙钬功率小于3σw烙铁温度小于300℃(建议280±2σ℃),焊接时间1-3秒,烙铁头不要接触电寳体 在有浪涌电压和ESD的情况下,可以连接阻性器件进行保护。 单板测试裝备也需要固定好被测单板,避免单板在测试中受外力变形。 陶瓷电容的焊盘如果设计得太大,温度变化的热胀冷缩会伩电睿受到较大的机械应力,因此在CAD设计时应严格按照器件厂家推荐的对应焊盘进行设计 对于5V以下替换钽电容的人容量滤波应用电路,陶瓷电容的降额要求只到耐压的80%即可,但要注意施加的电压对容量损失的影响。 采用陶瓷电容替换钽电睿时,不需要强调绝对等容量来替代,如果要求等容量则可以减少原有相应并联个数 ≥10ouF高容量陶瓷电容技术目前仍不太成熟,不建议大量使用。推荐可选的替代钽电容的陶瓷电容容量范围为1uF~47uF 陶瓷电容 从阻抗等效的前提下,所替代的钽电容可分别对应为4.7uF~220uF,已满足大部分替代要求。 电容对容稳定生要求严格的非电源滤波电路如KC定时拦制电路等不能目用瓷电换电登 选型原则要求电容ER不能过低的电路如某些1DO源调整器输出,不能目采用版电容档换但电 选择Y5V介质陶瓷电容时要考虑容量相应选择大一些,保证最坏情况下依然满足抗的要求 替代钼电滤波的大容量闖瓷电窣的ESR很低,最坏情况下变化后的ESR依然比较低因此一啟不考虑其ESR的最坏情况 不管什么介质,判断替代是否合适的标准就是看在最坏情况下,所选择的陶瓷电容其阻抗依然能够满足要求。

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