IPL60R180P6 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌（INFINEON）的IPL60R180P6是一款基于超级结（Superjunction）技术的600V CoolMOS P6功率MOSFET，其设计旨在提供高速切换、低损耗和易于驱动的特性。这款芯片采用8x8 ThinPAK封装，其中Drain Pin位于5号引脚，Gate Pin是1号引脚，Power Source Pin为3和4号引脚，Driver Source Pin则是2号引脚。 CoolMOS P6系列是英飞凌技术创新的产物，作为高电压MOSFET的革命性技术，它结合了领先的超级结MOSFET供应商的经验与高端创新。这种器件在保持易用性的同时，提供了快速切换超级结MOSFET的所有优势，显著降低了开关和传导损失，使开关应用更高效、更紧凑、更轻便且发热量更小。 IPL60R180P6的主要特点包括： 1. 提高了MOSFET的dv/dt耐受能力，意味着在高速切换时能更好地抵抗电压变化率的影响，降低了损坏的风险。 2. 极低的损耗，这得益于非常低的Rdson*Qg和Eoss参数，使得在工作时能量损失大大减少。 3. 非常高的换流坚韧度，确保在高电流转换时的稳定性和可靠性。 4. 易于使用和驱动，简化了设计和应用过程。 5. 符合环保标准，采用无铅电镀和无卤素封装材料，适用于工业级应用，符合JEDEC（J-STD-20和JESD22）标准。 潜在的应用场景广泛，包括： - PFC（功率因数校正）阶段 - 硬开关PWM（脉宽调制）阶段 - 共振开关阶段，如PC电源适配器、LCD & PDP电视、照明设备、服务器、电信设备和不间断电源（UPS） 关键性能参数如下： - VDS @ Tj,max：650V，最大漏源电压 - RDS(on),max：180mΩ，最大漏源导通电阻 - Qg,typ：44nC，典型栅极电荷 - CID,pulse：62A，脉冲电容 - Eoss @ 400V：5.7µJ，存储能量 - Body diode diF/dt：500A/µs，体二极管的电流变化率 此外，该规格书还包含了关于最大额定值、热特性、电气特性和其它详细信息，如封装标记、相关链接等，以供设计工程师进行深入的分析和应用。这些数据对于评估和集成IPL60R180P6到具体电路设计中至关重要，确保了器件在实际工作环境下的性能表现。