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VLSI 设计 超大规模集成电路设计

VLSI 设计 是一个超大规模电路的设计,即是制造芯片的过程
2009-06-12 上传大小:7.17MB
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中文版CMOS超大规模集成电路设计第4版

CMOS 超大集成电路第四版扫描版,带书签版。 韦斯特等编著的《CMOS超大规模集成电路设计(第4版)》是本经典教材。本版本反映了近年来集成电路设计领域面貌的迅速变化,突出了延时、功耗、互连和鲁棒性等关键因素的影响。内容涵盖了从系统级到电路级的CMOS VLSI设计方法,介绍了CMOS集成电路的基本原理,设计的基本问题,基本电路和子系统的设计,以及CMOS系统的设计实例(包括一系列当前设计方法和 (2MOS的特有问题,以及测试、可测性设计和调试等技术)。全书加强了对业界积累的许多宝贵设计经验的介绍。 《CMOS超大规模集成电路设计(第4版)》可作为高等院校电子科学与技术、微电子学与固体电子学、集成电路工程、计算机科学与技术、自动化、汽车电子及精密仪器制造等专业的本科生和研究生在CMOS集成电路设计方面的教科书,并可作为从事集成电路设计领域研究和技术工作的工程技术人员和高等院校教师的常备参考书。 第1章 引论 1.1 集成电路简史 1.2 概述 1.3 MOS晶体管 1.4 CMOS逻辑 1.5 CMOS的制造和版图 1.6 设计划分(Design Partitioning) 1.7 举例:一个简单的MIPS微处理器 1.8 逻辑设计 1.9 电路设计 1.10 物理设计 1.11 设计验证 1.12 制造、封装和测试 本章小结和本书概要 习题 第2章 MOS晶体管原理 2.1 引言· 2.2 长沟道晶体管的I-V特性 2.3 C-V特性 2.4 非理想的I-V效应 2.5 直流传输特性 2.6 常见隐患与误区 本章小结 习题 第3章 CMOS工艺技术 3.1 引言 3.2 CMOS工艺 3.3 版图设计规则 3.4 CMOS工艺增强技术 3.5 与工艺相关的CAD问题 3.6 有关制造的问题 3.7 常见隐患与误区 3.8 历史透视 本章小结 习题 第4章 延时 4.1 引言 4.2 瞬态响应 4.3 RC延时模型 4.4 线性延时模型 4.5 路径逻辑努力 4.6 用于时序分析的延时模型 4.7 常见隐患与误区 4.8 历史透视 本章小结 习题第5章 功耗 5.1 引言 5.2 动态功耗 5.3 静态功耗 5.4 能耗一延时的优化 5.5 低功耗体系结构 5.6 常见隐患与误区 5.7 历史透视 本章小结 习题 第6章 互连线 6.1 引言 6.2 互连线建模 6.3 互连线的影响 6.4 互连线设计 6.5 考虑互连线时逻辑努力方法的应用 6.6 常见隐患与误区 本章小结 习题 第7章 鲁棒性 7.1 引言 7.2 扰动 7.3 可靠性 7.4 按比例缩小 7.5 扰动的统计分析 7.6 容扰动设计 7.7 常见隐患与误区 7.8 历史透视 本章小结 习题 第8章 电路模拟 8.1 引言 8.2 SPICE模拟器简介 8.3 器件模型 8.4 器件表征 8.5 电路表征 8.6 互连线模拟 8.7 常见隐患与误区 本章小结 习题 第9章 组合电路设计 9.1 引言 9.2 电路系列 9.3 电路隐患 9.4 其他电路系列 9.5 绝缘体上硅的电路设计 9.6 亚阈值电路设计 9.7 常见隐患与误区 9.8 历史透视 本章小结 习题 第10章 时序电路设计 10.1 引言 10.2 静态电路的时序控制 10.3 锁存器和触发器的电路设计 10.4 静态时序元件设计方法学 10.5 动态电路的时序控制 10.6 同步器 10.7 行波流水 10.8 常见隐患与误区 10.9 案例研究:Pentium 4和Itanium 2的时序控制策略 本章小结 习题 第11章 数据通路子系统 11.1 引言 11.2 加法/减法 11.3 I/0检测器 11.4 比较器 11.5 计数器 11.6 布尔逻辑运算 11.7 编码 11.8 移位器 11.9 乘法 11.10 并行前置计算 11.1l 常见隐患与误区 本章小结 习题 第12章 阵列子系统 12.1 引言 12.2 SRAM 12.3 DRAM 12.4 只读存储器 12.5 顺序存取存储器 12.6 按内容寻址存储器 12.7 可编程逻辑阵列 12.8 鲁棒性好的存储器设计 12.9 历史透视 本章小结 习题 第13章 专用子系统 13.1 引言 13.2 封装及冷却技术 13.3 电源分布 13.4 时钟 13.5 PLL和DLL 13.6 I/O 13.7 高速链接 13.8 随机电路 13.9 常见隐患与误区 本章小结 习题 第14章 设计方法学与工具 14.1 引言 14.2 结构设计策略 14.3 设计方法 14.4 设计流程 14.5 设计经济学 14.6 数据表和文档 14.7 CM0S物理设计风格 14.8 常见隐患与误区 习题 第15章 调试与验证 15.1 引言 15.2 测试仪、测试夹具和测试程序 15.3 逻辑验证原理 15.4 硅片调试原理 15.5 制造测试原理 15.6 可测性设计 15.7 边界扫描 15.8 大学环境下的测试 15.9 常见隐患与误区 本章小结 习题 附录A 硬件描述语言参考文献索引

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VLSI数字信号处理系统设计与实现

VLSI数字信号处理系统设计与实现 Keshab K 陈弘毅 机械工业出版社

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VLSI系统设计--何时和如何设计超大规模集成电路

VLSI系统设计--何时和如何设计超大规模集成电路

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CMOS超大规模集成电路设计(尼尔韦斯特)全部课件

里面包含了所有的课程课件,是自己上课学习的时候用的,对读这本书很有帮助,希望可以帮助到有需要的人。

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VLSI设计基础 李伟华(清晰pdf)

本教材介绍了五个方面的内容:MOS器件基本原理以及主要的特性,VLSI中逻辑结构的主要设计方法,用于VLSI系统的模拟集成单元设计方法,VLSI 的测试问题与相关技术,VLSI设计系统及其组成。涉及了五个方面的基础知识:MOS器件基础知识,半导体工艺基础知识,集成电路版图基础知识,逻辑、电路设计基础知识和CAD基础知识。 《VLSI 设计基础》作为VLSI设计基础教材,注重相关理论的结论和知识的应用。可作为本科生教材和研究生参考书。 第1章 VLSI设计基础概述 1.1 VLSI设计技术基础与主流制造技术 1.2 VLSI设计方法与设计技术 1.3 新技术对VLSI的贡献 1.4 ASIC和VLSI 1.5 SOC 1.6 VLSI的版图结构和设计技术 1.6.1 VLSI的版图总体结构 1.6.2 VLSI版图的内部结构 第2章 MOS器件与工艺基础 2.1 MOS晶体管基础 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 2.1.2 MOS晶体管的阈值电压VT 2.1.3 MOS晶体管的电流-电压方程 2.1.4 MOS晶体管的平方律转移特性 2.1.5 MOS晶体管的跨导gm 2.1.6 MOS晶体管的直流导通电阻 2.1.7 MOS晶体管的交流电阻 2.1.8 MOS晶体管的最高工作频率 2.1.9 MOS晶体管的衬底偏置效应 2.1.10 CMOS结构 2.2 CMOS逻辑部件 2.2.1 CMOS倒相器设计 2.2.2 CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法 2.2.3 其他CMOS逻辑门 2.2.4 D触发器 2.2.5 内部信号的分布式驱动结构 2.3 MOS集成电路工艺基础 2.3.1 基本的集成电路加工工艺 2.3.2 CMOS工艺的主要流程 2.3.3 Bi-CMOS工艺技术 第3章 工艺与设计接口 3.1 工艺对设计的制约与工艺抽象 3.1.1 工艺对设计的制约 3.1.2 工艺抽象 3.2 设计规则 3.2.1 几何设计规则 3.2.2 电学设计规则 3.2.3 设计规则在VLSI设计中的应用 第4章 晶体管规则阵列设计技术 4.1 晶体管阵列及其逻辑设计应用 4.1.1 全NMOS结构ROM 4.1.2 ROM版图 4.2 MOS晶体管开关逻辑 4.2.1 开关逻辑 4.2.2 棒状图 4.3 PLA及其拓展结构 4.3.1 “与非-与非”阵列结构 4.3.2 “或非-或非”阵列结构 4.3.3 多级门阵列(MGA) 4.4 门阵列 4.4.1 门阵列单元 4.4.2 整体结构设计准则 4.4.3 门阵列在VLSI设计中的应用形式 4.5 晶体管规则阵列设计技术应用 第5章 单元库设计技术 5.1 单元库概念 5.2 标准单元设计技术 5.2.1 标准单元描述 5.2.2 标准单元库设计 5.2.3 输入、输出单元(I/O PAD) 5.3 积木块设计技术 5.4 单元库技术的拓展 第6章 微处理器 6.1 系统结构概述 6.2 微处理器单元设计 6.2.1 控制器单元 6.2.2 算术逻辑单元(ALU) 6.2.3 乘法器 6.2.4 移位器 6.2.5 寄存器 6.2.6 堆栈 6.3 存储器组织 6.3.1 存储器组织结构 6.3.2 行译码器结构 6.3.3 列选择电路结构 第7章 测试技术和可测试性设计 7.1 VLSI可测试性的重要性 7.2 测试基础 7.2.1 内部节点测试方法的测试思想 7.2.2 故障模型 7.2.3 可测试性分析 7.2.4 测试矢量生成 7.3 可测试性设计 7.3.1 分块测试 7.3.2 可测试性的改善设计 7.3.3 内建自测试技术 7.3.4 扫描测试技术 第8章 模拟单元与变换电路 8.1 模拟集成电路中的基本元件 8.1.1 电阻 8.1.2 电容 8.2 基本偏置电路 8.2.1 电流偏置电路 8.2.2 电压偏置电路 8.3 放大电路 8.3.1 单级倒相放大器 8.3.2 差分放大器 8.3.3 源极跟随器 8.3.4 MOS输出放大器 8.4 运算放大器 8.4.1 两级CMOS运放 8.4.2 CMOS共源-共栅(cascode)运放 8.4.3 带有推挽输出级的运放 8.4.4 采用衬底晶体管输出级的运放 8.5 电压比较器 8.5.1 电压比较器的电压传输特性 8.5.2 差分电压比较器 8.5.3 两级电压比较器 8.6 D/A、A/D变换电路 8.6.1 D/A变换电路 8.6.2 A/D变换电路 8.7 模拟集成电路单元的版图设计 8.7.1 大尺寸MOS管的版图设计 8.7.2 器件的失配问题 8.7.3 多层金属版图的互连问题 第9章 VHDL和Verilog HDL 9.1 硬件描述语言概述 9.2 VHDL 9.2.1 一些简单的例子 9.2.2 VHDL源程序的基本结构 9.2.3 VHDL的数据类型及运算操作符 9.2.4 VHDL的主要描述语句 9.2.5 仿真简介 9.3 Verilog HDL 9.3.1 简单的例子 9.3.2 Verilog HDL源程序的基本结构 9.3.3 Verilog HDL中的数值、数据类型和参数 9.3.4 运算操作符 9.3.5 Verilog HDL中的主要描述语句 第10章 设计系统 10.1 设计系统的组织 10.1.1 管理和支持软件模块 10.1.2 数据库 10.1.3 应用软件 10.2 设计流程与软件的应用 参考文献

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超大规模集成电路与系统导论

超大规模集成电路与系统导论 本书介绍数字VLSI芯片设计基础

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VLSI数字信号处理系统设计与实现【中文】

VLSI数字信号处理系统设计与实现【中文】.pdf

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VLSI数字信号处理系统:设计与实现. 帕里. .pdf

本书详细而全面地论述VLSI信号处理中性能优化技术,汇集了VLSI的架构理论与算法,描述了硬件实现层中的各种架构,给出了若干种分析、估计与降低功耗的方法,重点讲解设计应用时所需要的定制或半定制VLSI电路。 本书适合作为高年级本科书和低年级研究生的教科书或参考书,对于专业技术人员,也是一本很好的参考书。

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Verilog数字VLSI设计教程光盘资料

John Williams 著作,李林翻译的 《Verilog数字VLSI设计教程》的光盘内容,注意没有书的PDF,是源码等资料

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Verilog数字VLSI设计教程

这个资料是进行芯片设计所用编程语言verilog学习非常好的一本书,希望对大家有帮助。

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VLSI测试方法学和可测性设计

一本关于VLSI的可测试性设计的书,内容很全,从电路基础知识到故障模型、测试方法等都有讲解

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VLSI设计基础(第二版)课件

系统及系统集成 VLSI设计方法与管理 VLSI设计技术基础与主流制造技术 新技术对VLSI的贡献 设计问题与设计工具 系统集成发展过程

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CMOS VLSI Design, 4th Edition

For both introductory and advanced courses in VLSI design, this authoritative, comprehensive textbook is highly accessible to beginners, yet offers unparalleled breadth and depth for more experienced readers. The Fourth Edition of CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems perspective presents broad and in-depth coverage of the entire field of modern CMOS VLSI Design. The authors draw upon extensive industry and classroom experience to introduce today’s most advanced and effective chip design practices. They present extensively updated coverage of every key element of VLSI design, and illuminate the latest design challenges with 65 nm process examples. This book contains unsurpassed circuit-level coverage, as well as a rich set of problems and worked examples that provide deep practical insight to readers at all levels

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数字集成电路设计:从VLSI架构到CMOS制造 eng

Digital Integrated Circuit Design:From VLSI Architectures to CMOS Fabrication数字集成电路设计:从VLSI架构到CMOS制造,经典必读.

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超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf

序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容负载的驱动 8.噪声容限 9.电源功耗 10.体硅CMOS的可控硅闩锁效应 11.CMOS和nMOS的比较 12.MOS电路的按比例缩小原理 MOS电路设计过程 …… 电路设计及优化 …… 设计方法学和设计风格 …… 超大规模集成电路计算机辅助设计工具与环境 …… MAGIC——交互式VLSI版图编辑系统 …… 实例研究 …… VLSI的新发展

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超大规模集成电路设计方法与导论(清华).PDF

超大规模集成电路设计方法与导论(清华).PDF

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VLSI系统设计--何时和如何设计超大规模集成电路.rar

材料提供了从集成电路的制造到数字系统设计的有关集成电路设计的全貌,非常不错,值得一下。

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VLSI系统设计-何时和如何设计超大规模集成电路(电子书,NLC格式)

VLSI系统设计-何时和如何设计超大规模集成电路(电子书,NLC格式) NLC电子图书格式阅读器

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中文版CMOS超大规模集成电路设计第4版.part1

VLSI学习必备教材之一 Neil H. E. Weste & David Money Harris 编著

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VLSI系统设计何时和如何设计超大规模集成电路.part1

随着集成度的增加;在开发LSI/VLSI芯片时,我们将不得不面临新的、难以克服的问题。我们必须把加工工艺、软件、算法、结构、逻辑/电子电路/版图设计、CAD、设计验证、测试和封装等不同的科学和工程课邃协调地绘合在一起,其实这不是新问题,在设计较小规模集成的芯片时,这个情况也遇到过。可是,随着集成度的增加,当五十万个或一百万个晶体管被封装在单块芯片_L时,上述课题中的每一个都变成复杂和困难的问题了,又因为它们在芯片上以复杂的方式彼此互相影响着,所以,这些课题作为一个整体来处理时,就变得更加复杂和异常困难。假如这些课题中的任何一个处理得不正确,整个芯片便不能工作。也就是说,必须大最地和高质盆地将各个课题综合在单块芯片上,这将是一个新的巨大问题。

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