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3.1.1 结型场效应管的结构及工作原理
1 结型场效应管的结构
如图 3.1 (a) 所示,在一块 N 型半导体材料的两边各
扩散一个高杂质浓度的 P+ 区 , 就形成两个不对称的
P+N 结,即耗尽层。
把两个 P+ 区并联在一起,引出一个电极 g ,称为栅极,
在 N 型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极
s 和漏极 d 。
栅极、源极 s 和漏极 d 与三极管的基极 b 、发射极 e
和集电极 c 相对应。夹在两个 PN 结中间的 N 区是电
流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的
管子称为 N 沟道结型场效应管,它在电路中用图
3.1(b) 所示的符号表示。
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