IGBT模块的杂散参数计算与封装设计研究

绝缘栅型双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)模块由于线路杂散电感的存在使得在开通和关断的瞬态 过程中产生过大的电压尖峰，过压会使 IGBT 芯片的集电极电流增大从而导致结温上升，且其是导致 IGBT 模块失效的一个 重要因素，通过有限元仿真软件 Ansoft Q3D Extractor 对键合线结构 IGBT 模块的杂散参数进行计算并对其封装结构进行优 化，设计可有效降低 IGBT 模块杂散参数的平板封装结构，结果显示平板封装 IGBT 模块的主回路杂散电感为 11.365 nH， 电阻为 0.409 mΩ，与键合线结构 IGBT 模块相比，杂散电感降低 55.1%，电阻降低 13.2%。