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论文研究-A simple wet electrochemical lift-off method of GaN epitaxi...
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2019-08-17
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用电化学刻蚀的方法来剥离GaN量子阱外延薄膜,刘后培,梁红伟,在无损伤的量子阱(MQWs)的情况下,通过侧向选择性电化学刻蚀的简易方法实现了从蓝宝石衬底上剥离氮化镓(GaN)外延。利用场发射扫描
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