论文研究-一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法 .pdf

一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法，许喆，，在0.25um以下的高阶制程中，通常使用蚀刻形成STI (Shallow Trench Isolation)浅沟槽的方式来达到元器件相隔绝的目的。由于制程能力的限制，STI