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论文研究-Stress Electric-Field Dependent TDDB Characteristics of Ult...
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2019-08-14
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超薄HfO2高K栅介质中电场依赖的时变击穿(TDDB)特性 ,杨红,萨宁,本文利用高温工艺制备了等效氧化层厚度(EOT)小于0.9纳米的超薄HfO2高K栅介质MOS器件,研究了其时变击穿(TDDB)特性。结果显示,其TDD
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