论文研究-通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究 .pdf

通过侧墙及有源区刻蚀工艺优化提升55nm器件工艺窗口的研究，顾林，，55纳米低功耗平台（55LP）的器件工艺窗口不足是长期存在的一个问题，主要表现为两个方面：1. 器件速度偏慢导致的晶圆边缘（W/E）Mbist�