Chapter3_1双极型晶体管及其基本放大电路课件.pdf

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Chapter3_1双极型晶体管及 其基本放大电路 本章主要内容: 3.1 双极型晶体管 3.2 BJT基本放大电路直流分析方法 3.3 BJT基本放大电路交流分析方法 3.4 三种组态放大器的中频特性 3.5 单级共发放大器的频率特性 3.6 多级放大电路
1958 §31R极型晶体管 'nce and Tec 1.结构与功能 2.放大工作原理 3. Ebers-Mo‖数学模型 4.静态工作伏安特性曲线 5.主要参数 钱性电子 1958 晶体管的结构 'nce and Tec ■双极型晶体管(BjT:又称半导体三极管、晶体三极管 3AD10 小功率管 中功率管 大功率管 X:低频小功率管G:高频小功率管 D:低频大功率管:高频大功率管 三极管有两种类型:NPN型和PNP型 线性电子 1958 (1)三极管结构 'nce and Tec NPN型 电极 三个区、三个极、两个PN结 集电区 N 集电结 基极b P 基区 发射结 N e 发射区 符号 0发射极e 钱性电子 5 1958 (2)三報管结构 'nce and Tec 集电极c 三个区、三个极、两个PN结。 PNP型 集电区 P 基极b 集电结 N 基区 P 发射结 发射区 符号 发射极e (b)PNP型 钱性电子 6 1958 晶体管的电澆效大原理 'nce and Tec 以NPN型三极管为例讨论 C 三极管若实现 表面看 放大,必须从三 b N=P=N b 极管内部结构和 外部所加电源的 不具备 放大作用 极性来保证。 钱性电子 7 1958 (1)三設管效大条件 ■内部结构 多子浓度很 面积大 低,且很薄 1.发射区高掺杂。 2.基区做得很薄。几微米到 b 几十微米,且掺杂较少。 3.集电结面积大 N ■外部条件: 多子浓度高 VBU(发射结正偏) on ≥0,即L ≥Wn(集电结反俑) CB uCE BE 钱性电子 8 1958 (2)实验:三极管效大工作原理 'nce and Tec LC (1)放大电路 B CE CC e BE BB 表1-1电流单位:mA E lB 0.020.040.060.080.10 放大约39 io<00010701.502303.10395 放大约40 is<0.0010721542363.184.05 结论:基极i控制集电极电流i和发射极电流i的作用 钱性电子 9 1958 (3)晶体管部载流子的动 'nce and Tec 1.发射结加正向电压,扩散运动形 成发射极电流 发射区的电子越过发射结扩散到基区, R 基区的空穴扩散到发射区一形成发射极 B 电流(基区多子数目较少,空穴电流 可忽略)。 2.扩散到基区的自由电子与空穴的 R。5rc复合运动形成基极电流 BB e 电子到达基区,少数与空穴复合形成基 E 极电流n,复合掉的空穴由vB补充。 →多数电子在基区继续扩散,到达集电结的一侧。 钱性电子 10

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