富士通(Fujitsu)微电子(上海)有限公司日前宣布推出两款新型消费类FCRAM存储器芯片-512 Mb(MB81EDS51*5)和256 Mb(MB81EDS25*5)。这两款芯片支持DDR SDRAM接口，是业界首推的将工作温度范围扩大至125℃的芯片。富士通微电子已开始提供这两款新型FCRAM产品。这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装(SiP)。
如果SiP架构上的片上系统(SoC)整合了新型FCRAM芯片，当SiP工作速度提高导致工作温度上升时，存储器也不会对操作造成影响或限制，客户将从中受益。此外，它还具有其它优势，如可降低产品设计开发
富士通(Fujitsu)微电子(上海)有限公司在行业内率先推出了两款专为消费类电子产品设计的新型FCRAM（Ferroelectric Random Access Memory）存储器芯片，型号分别为512 Mb(MB81EDS51*5)和256 Mb(MB81EDS25*5)。这两款创新产品具备DDR SDRAM接口，引人注目的是它们的工作温度范围被扩展到了125℃，这是同类产品中的首次突破。
FCRAM，即铁电随机存取存储器，是一种非易失性存储技术，它结合了SRAM的高速读写性能和Flash的非易失性特点。富士通的新型FCRAM芯片特别适合用于高温度环境下的应用，例如数字电视和数字视频摄像机等消费类电子产品，因为它们能在系统级封装(SiP)中提供稳定的操作性能。
系统级封装(SiP)是一种先进的集成电路封装技术，允许在一个封装内集成多个功能单元，包括SoC（片上系统）。当SiP中的SoC运行速度提升导致整体工作温度上升时，传统的存储器可能会受到影响，但富士通的FCRAM芯片能确保在高温下仍能保持高效稳定的运行，从而减轻了这种问题，为客户提供了显著的优势。
除了耐高温特性，FCRAM芯片还具有低功耗的优异表现，这在节能和环保方面具有重大意义。比如，新型512 Mb FCRAM的功耗相比于DDR2 SDRAM降低了50%，这意味着使用这种存储器的消费类电子产品在运行时能显著减少能源消耗，从而降低二氧化碳排放。
在设计层面，FCRAM的集成也带来了诸多益处。它可以降低产品设计的复杂性和开发成本，因为它能够在SiP架构中无缝集成，减少对电路板空间的需求，以及减少所需独立元器件的数量。这对于应对消费类电子产品对高性能、高速度和低成本的市场需求至关重要。
富士通的新型FCRAM存储器芯片通过其独特的耐高温、低功耗和优化的设计集成特性，为消费电子行业提供了一种更高效、更可靠的存储解决方案。这不仅有助于提升设备性能，还能有效降低生产成本，顺应了当前市场对于更智能、更绿色电子产品的追求。
