全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究* (2003年)

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计，初步构造出离子注入的分布图像，通过与实验结果比较，进一步完善模型。选用高斯与半高斯混合模型，得到了与实验结果更吻合的模拟方案。从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管（VDCFET）离子注入的最佳条件，并研制了性能良好的VDCFET。