FUJITSU 并行接口存储芯片MB85R1001A 系列英文资料.pdf

【FUJITSU MB85R1001A存储芯片详解】 FUJITSU的MB85R1001A系列存储芯片是一款并行接口的非易失性铁电随机存取内存（FRAM），它融合了铁电工艺和硅门CMOS工艺技术，实现了131,072字节（128K × 8位）的数据存储。该芯片的最大特点在于其无需备用电池即可保持数据，这是传统SRAM所不具备的优势。 **主要特性：** 1. **存储配置：** 131,072个字×8位。 2. **读写耐久性：** 每位可进行10^10次读写操作，远超闪存和E2PROM的耐久性。 3. **工作电源电压：** 3.0V至3.6V。 4. **工作温度范围：** -40°C到+85°C。 5. **数据保留时间：** 在+55°C环境下可保留10年。 6. **封装形式：** 48引脚塑料TSOP封装。 **引脚分配与功能：** MB85R1001A的引脚设计包括地址输入A0至A16、数据输入/输出I/O1至I/O8、芯片使能输入CE1和CE2、写使能输入WE、输出使能输入OE、电源VCC和地线GND。此外，还有若干未连接引脚NC。 **块图与功能真值表：** 芯片内部结构通过一个块图表示，包括地址锁存器、数据锁存器和控制逻辑等关键部分。功能真值表则描述了不同输入信号组合下，芯片的行为模式。 **工作原理：** - **地址锁存**：在下降沿时，地址信号被锁存。 - **数据处理**：数据输入/输出受控于OE信号，当OE为低电平时，数据可以从I/O口读出或写入；当OE为高电平时，I/O口处于高阻态。 - **芯片使能**：CE1和CE2两个芯片使能输入可以独立控制，允许灵活的系统设计。 - **写使能**：WE信号为低时，数据写入内存；为高时，禁止写操作。 **应用场合：** MB85R1001A因其高耐久性和无电池备份能力，常用于需要频繁读写的系统，如工业控制、汽车电子、医疗设备、智能仪表和嵌入式系统等，特别是在对数据丢失敏感且更换电池困难的环境中，它的优势尤为明显。 总结来说，FUJITSU MB85R1001A是一款高性能的并行接口FRAM芯片，具有高读写耐久性和出色的非易失性，适用于要求数据稳定存储和快速访问的多种应用场景。其伪SRAM接口使其易于集成到传统的SRAM系统中，降低了设计复杂度。