NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究.pdf

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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构
2.4 7 m 0.8 5 min 0.6 0.7 400 500 600 0.6 Raman shift/cm 55 6 18 Deposit time of N-layer/rim 10 E IE-3 IE-4 23456 Treat time/m C1994-2008ChinaAcadenicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreservedhttp://www.cnki.net 15 T=12.5 min T=150 min T=l0.0 min 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 Voc/v C1994-2008ChinaAcademicJournalelEctronicPublishingHouse.Allrightsreservedhttp://www.cnki.net

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weixin_38744270 你的留言是对我莫大的支持
2019-09-05
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