基于晶硅的薄膜太阳能电池制作方法.pdf

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一种基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法。所述基于晶硅的薄膜太阳能电池包括:基板;依次位于基板一侧的第一I型半导体层、P型
CN102446991B 说明书 1/7页 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法 技术领域 [α00]本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域,尤其涉及一种基于晶硅的薄膜太阳能电池 及其制造方法。 背景技术 [00Q』】溥膜太阳能电池是在玻璃、金属或塑料等基板上沉积很溥(几微米不几十徼米) 的光电材料而形成的一种太阳能电池。薄膜太阳能电池具备弱光条件下仍订发电、生产过 程能耗低及可人幅度降低原料和制造成本等一系列优势,已成为近年来的硏究热点,其市 场发展潜力巨大 [0003本的薄太阳能电池结构,包括单PN结、P-⊥NN-1P以及多结。典型的单结 卩-N结构包括P型掺杂层和N型掺杂层。单结PN结太阳能电池有同质结和异质结两种结 构。P型掺杂层和N型掺杂层都山杋似材料(材料的能带隙相等)构成。异质结结构包括 具有不同带隙的材料至少两层。P-ⅠN/N-I-P结构包拒P型掺杂层、N型掺杂层和欢于P层 和N层之间的木征半导体层(即未掺杂的I层)。多结结构包括具有不同带的多个半 体层,所述多个半导体层堆叠于彼此顶部上。在灣膜太阳能电池中,光在PN纭附近被吸 收。由此所得的载流子扩散进入所述P-N结并被内建电场分廾,从而生成穿过所述器件和 外部电路系统的电流 [0004在公告号为201699033的中国专利中公开了一种双面受光型晶体硅太阳能电 池,如图1所示。所述双面受光型品体硅太阳能电池依次包括:正面栅线1、正面减反射膜 2、掺僯层3、单昰硅衬底4、掺硼层5、背面反射膜6和背面栅线7。所述掺磷层3、单晶砫 衬底4和掺硼层5组成太阳能电池本体。 [0005现有抆术一般在等离子体增强化学气相沉积( Plasma enhanced Chemical vapor Deposition,PECⅦD)装置中形成上述太驲能电池木休,且在形成掺磷层3或掺硼层5的过 程中,保持反应气体的流量凖本不变,从而掺僯层3中的僯离子或掺硼层5中的倗离子均匀 分有 [000门但是上述技杺存在以下缺陷:当掺磷层3中的磷离子或掺硼层5中的硏离子的掺 杂浓度较高时,则掺磷层3或掺倗层5会污染单晶硅衬底4,从而降低薄膜太阳能电池的光 电转换效率;当掺磷层3中的磷离了或掺硼层5中的硼离子的掺杂浓度较低吋,则叁降低簿 膜太阳能电池的带隙宽度,从而也会降低薄膜太阳能电池的光电转換效峯。类似地,在其仳 薄馍太阳能电池中也存在上述缺陷 [000]因此,如何提高薄膜太阳能电池的光电转换效率成为本领域技术人员亟待解决的 问题 发明内容 [008本发叨解决的问题是提供一种具有高光电转换效率的基于晶硅的薄膜太阳能电 池及共制造方法。 CN102446991B 说明书 2/7页 0009~为解决上述问题,本发明提供了一种基于品硅的薄膜太阳能电池,包括 [0010]基板,所述基板的材料为单晶硅或多晶硅 [001]依次位于所述基板一侧的笫一I型半导体层、P型半导体层和第一电极:所述P型 半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,所述P型半导体子层按照掺杂离 子浓度大小依次层叠设置,位于所述第一Ⅰ型半导体层表面的P型半导体子层的掺杂离子 浓度最小; [0012]依次位于所述基板另侧的第二1型半导体层、N型半导体层和第二电极:所述N 型半导体层包扦多个掺杂离子浓度不同的N型半导体子层,所述N型半导体子层按照掺杂 离子浓度人小依次层叠设置,位于所述第二I型半导体层表面的N型半导体子层的掺杂离 子浓度最小 [0013]可选地,所述基板为N刑基板,所述第一电极为正面电极,所述第二电极为面电 极;或者,所述基板为P型基板,所述第一电板为背面电极,所述第二电极为面电极 [0014]可选地,所述P型半导体层或N型半导体层的厚度范围包括:20A~5000A [0015]可选地,所述N型半导体层或P型半导体层巾掺杂离子浓度的取值范围包括 1E10/cm~1E20/cm [o016]可选地,所述基亍品硅的濤腴太阳能电池还包括:位亍所述基板与所述第·Ⅰ型 半导体层之间的第一遂穿氧化层;位于所述基板与所述第二Ⅰ型半导体层之间的第二遂穿 氧化层 [0017]可选地,所述基于晶硅的淳膜太阳能电池还包括:位于所述P型半导体层和所述 第一电极之间的第一抗反射层;位于所述N利半导休层和所述第二电极之间的第一抗反射 [0018]为∫解决上述问题,本发明还提供了一种基于晶硅的薄膜太阳能电池的制造方 法,包括 [0019]提供材料为单晶硅或多晶硅的基板 [0020]在所述基板的侧依次形成第I型半导体层、P型半导体层利第电极;形成所 述P型半导体层包括:形成多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,所述P型半导体子层 按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置,位于所述第一I型半导体层表面的P型半导体子层 的掺杂离子浓度最小 [0021]在所述基板的另一侧依次形成第二I型半导休层、N型半导休层和第二电极;形成 所述N型半导体层包括:形成多个掺杂离子浓度不同的N犁半导体子层,所述N型半导体子 层按照掺杂离」浓度大小依次层叠设置,位于所述第二I型半导体层表面的N型半导体子 层的掺杂离子浓度最小 [002】]可选地,所述P型半导体层或N型半导体层采用多次离子注入方式形成。 [o0.3]可选地,所述P型半导体层的厚庋范围勻括:20A~5000A所述N型半导体层的 厚度范围包括:20A~5000A。 [0024]可选地,所述P型半导体层屮掺杂离子浓度的取值范围包括:1E10/cm3~1E20 Cm3;所述N型半导体层中掺杂离了浓度的取值范围包括:1E10/cm3~E20/cm3 [0Q25]与岘有技术相比,本发明具有以优点:提供一种基于晶的薄膜太阳能电,其 中,P型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,N型半导体层包括多个掺 4 CN102446991B 说明书 3/7页 杂离子浓度不同的N型半导休子层,P型半导休子层和N型半导休子层均按照掺杂离子浓 度大小依次层叠设置,且离Ⅰ型半导体层最近的P型半导体了层或N型半导体了层的掺杂 离子浓度最小 [0Q26]一方面,P型半导体层靠近第一I型半导体层的区域掺杂离子浓度最低,因此可以 减小P型半导体层对第一Ⅰ型半导体层的污染,N型半导体层靠近第二I型半导体层的区 域掺杂离子浓度也最低,因此可以减小N咒半导休层对第二I型半导休层的污染 [002刀]另方面,P型半导体层远离第1型半导体层的区域掺杂离子浓度可以很高,N 型半导体层远离笫二Ⅰ型半导体层的区域掺杂离子浓度也η以很高,閃此川以增加薄膜太 阳能电池的带隙宽度。 [0028]从而,本发明既可以减小P型半导体层对于第一I型半导体层的污染和N型半导 休层对于第二Ⅰ刑半导休层的污染,也可以提高带隙宽度,因此可以提高薄膜太驲能电池 的光电转换效率 附图说明 [0029]图1是现有技术中一种双面受光型晶体硅太阳能电池的结构示意图 [0030]图2是本发明实施方式中基丁品硅的薄膜太阳能电池的制造方法的流程示意图; [0031]图3至图12是本发明基于吊硅的簿膜太阳能电池的制造方法一实施例的小意 图 [0032]图13是本发明一个实施例中P型半导体层和N型半导体层中掺杂离子浓度的示 [0033]图14是本发明另一个实施例中P型半导体层和N型半导体层中掺杂离子浓度的 示意图。 具体实施方式 [0034]为使木发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对木发明 的具体实施方式做详细的说明 [0035]在下面的描述中阐述了很多其体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以 采用不同于此处的其它方式来实施,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。 [0036]正如背景技术部分所述,现有技术中P型半导休层和N型半导体层都是均匀掺杂。 为了减小对1犁型半导体层的污染,需要降低P型半导体层和N型半导体层的掺杂离子浓度: 为」提高带鳯宽度,需要提髙P型半导体层和N型半导体层的掺杂离子浓度。对Ⅰ型半导 体层的污染和带隙宽度较小都会导致薄膜太阳能电池的光电转换效率。 [0037]为了克服上述缺陷,参考图2所示,本发明实施方八提供了一种基于晶硅的薄膜 太阳能电池的制造方法,包括 [0038]步骤S1,提供材料为单晶佳或多晶硅的基板 [0039]步骤S2,在所述基板的一侧依次形成第一I型半导体层、P型半导体层和第一电 极;形成所述P型半导体层包括:形成多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,所述P型 半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠没置,位于所述第一I型半导休层表面的P型 半导体子层的掺朵离子浓度最小 CN102446991B 说明书 4/7页 [0040]步骤S3,在所述棊板的另一侧依次形成第二I型半导休层、N型半导休层和第电 极;形成所述N型半导体层包括:形成多个掺杂离了浓庋不同的N型半导体了层,所述N型 半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠没置,位于所述第二I型半导体层表面的N型 半导体子层的掺杂离子浓度最小 [0041]本发明通过设置掺杂离子浓度呈阶梯状分布的P型半导体层和N型半导体层,既 可以减小P型半导休层污染第一I型半导休层和N型半导体层污染第二I型半导休层,也 可以具冇较大的带隙宽度,因此薄戌太阳能屯池的光电转换效率很晑。 [0042]下面结合附图进行详细说明。 [0043]本实施例以形成基于晶硅的非晶硅薄膜太阳能电池为例,即:P型半导体层为P型 卡晶硅层,型半导体层为N型非晶硅层,I型半导体层为I型非晶硅层。但其不限制本发 明的保扩范围 [0044]在本发明的其他实施例中,所述基于晶硅的膜太阳能电池还可以是皋于晶徒的 微晶硅薄膜太阳能电池(即卩型半导体层为卩型微晶硅层,N型半导体凨为N型微晶硅层, I型半导体层为Ⅰ型微晶硅层)等,其不限制本发明的保护范围。 [0045]首先,参考图3所示,提供基板100 [0046]所述基板100的材料可以为单品硅或多品硅。 [0047]所述基板100川以为N型基板,则:第一电极为正面电极,第二电极为背面电极 所述基板100也可以为P型基板,则:第一电极为背面电极,第二电极为正面电极。 [0048]实施例巾所述基板100为N型单晶硅。 [0049]需要说明的是,木实施例还可以在提供基板100之前,对所述基板100进行清洗, 以去除基板100上的杂质,从而避免板100上的杂质影响太阳能电池的性能。 [0050]优选地,为了降低表闻态浓度,进而减小遂穸电流,还可以在所述基板100的上表 面和下表面分别形成第一遂穿氧化层710和第二遂穿氧化层720 [0051]其屮,所述第一遂穿氧化层710和第二遂穿氧化层720可以采用低温热氧化工艺 或湿氧化工芝形成 [0052]具体地,所述第一遂分氧化层710和第二遂交氧化层720的材料可以均为氧化砫, 其厚度范围可以包括:10A~1000A,:10A、100A、500A或1000A。 [0053]接着,参考图4所示,在所述第一遂穿氧化层710的上表面依次形成第一型非晶 硅层210和P型非品硅层300。 [0054]本实施例中所述P型非硅层300从至上依次包括:第一P型非品硅子层310、 第二P型非晶硅子层320、第三P型非昰硅子层3:4和第四P型非晶硅子层340。其中,所 述第一P型非品硅子层310、第P型非晶硅子层320、第三P型非晶硅子层330和第四P 型非品硅子层340的掺杂离子浓度不同,且第一P型非品硅子层310、第二P型非晶硅子层 320、第三P型非晶硅子层330和第四P型非品硅子层340的掺朵离子浓度依次增大,即位于 所述第一Ⅰ型非晶硅层210表闻的第一P型非晶硅子层310的掺杂离子浓度最小。此处,P 型非晶硅层300包括四个层叠设置的P型非晶硅子层仅为举例,本发明对P型丰晶硅子层 的数量不作限制。 [00551其中,所述第—1型非晶娃层210的厚度氾围可以包括20A~5000A,如: 20A、300A、1000A、2500A或5000A。 CN102446991B 说明书 5/7页 [0056]其屮,所述P型非品硅层300的厚度(即四个P型非晶硅子层的厚度之和)范围 可以包括20A~5000A,如:20A、300A、1000A、2500A或5000A每个P型半导体子 层的厚度可以桁同,也可以不同。 [0057]其中,所述P型非晶层300中掺杂离子可以包括硼、镓、铟和铝中的一种或多种。本 实施例中P型非晶硅层300中掺杂离子为硼。 [0058]在保证第四P型非昰硅子层340中硼离子的掺杂浓度>第三P型卡晶硅子层30 中堋离子的掺杂浓度>第二P型非品硅子层320中倗离子的掺杂浓度>第一P型非品硅 子层310中硼离子的掺杂浓度的前提下,所述P型非晶硅层300中掺杂离子浓度的取值范 围可以包括:lE10/cm3~1E20/cm。如:第一P型非晶硅子层310屮硼离子的掺杂浓度为 lE10/cm3,第二P型非晶硅了层320中硼离子的掺杂浓度为1E12/cm3,第三P型非晶硅子 层330中硼离子的掺杂浓度为1E17/cm3,第四P型非晶佳子层340中硎离子的掺杂浓庋为 LF20/cm。 [0059]体地,本实施例中可以采用多次离子注入方八形成P型非晶硅层300,大致包括 以下步骤: [006O]结合参考图5所示,在所述第遂穿氧化层710的上表面形成本征非品硅层200 所述本征非品硅层200的厚度等于所述P型非晶硅层300的厚度与第一1型非品硅层210 的厚度之和 [0061]结合参考图6所示,在本征丰晶硅层200屮进行第一次硼离子注入,形成第一P型 十晶硅了层310,其中第一次离了注入的能量和剂量决定了第一P型非晶硅子层310中硼 离子的深度和浓度。第一P刑非晶l子层310下方的本征非晶硅层作为第一1型非晶l层 210。离子注入的能量越大,掺杂离子进入本征非晶硅层200的深度越大;离」注入的剂量 越大,P型非晶硅子层中离子的浓度越大 [0062]参考图7所示,在本征非晶硅层200屮进行第二次倗离子注入,形成第二P型非晶 硅了层320,其中第二次离了注入的能量和剂量决定了第二P型非品硅了层320中硼离了的 深度和浓度,第二次离子注入的能量小于第一次离子注入的能量,但第二次离子注入的 剂量大于第一次离子注入的剂量 [0063]参考图8所示,在本征非晶硅层200中进行第三次离子注入,形成第三P型非晶 硅子层30,其中第三次离子注入的能量和剂量决定了第三P型非晶硅子层330中硼离子的 深度和浓度,且第三次离子注入的能量小于第二次离子注入的能量,但第三次离了注入的 剂量大于第二次离子注入的剂量 [0064]结合参考图9所示,在本征丰晶硅层200中进行第四次硼离子注入,形成第四P型 晶硅子层340,其屮第四次离子注入的能量和剂量决定了第四P型非晶硅子层340屮硼离 了的深度和浓度,且第四次离了注入的能量小于第三次离了注入的能量,但第四次离了注 入的剂量大于第三次离子注入的剂量 [0065]接着,参考图10所示,在所述第二遂穿氧化层720的下表面依次形成第二T型非 晶硅层220和N型非晶硅层400 [0061本实施例屮所述N型非是硅层400从上至下依次包括:第一N型晶硅子层410、 第二N型非品硅子层420、第三N型非是硅子层430和第四N犁非晶硅子层440。其中,所 述第一N型非品硅子层10第二N型非品硅子层120、第三N型非晶硅子层130和第四N 7 CN102446991B 说明书 6/7页 型非晶硅子层440的掺杂离子浓度不同,且第一N型非晶硅子层410、第N型非晶硅子层 420、第三N型非晶硅了层430和第四N型非晶硅了层440的掺杂离子浓度依次增大,即位 于所述第二I型非晶佳层220下表面的第一N型非昰硅子层410的掺杂离子浓度最小。此 处,N型非晶硅层400包括四个层叠设置N型主晶硅子层仅为举例,本发明对\型非晶硅子 层的数量不作限制。本实施例中N型非晶硅子层的个数与P型非晶硅子层的个数可以相同, 也可以不同。 [007]其中,所述第二1型非晶娃层20的厚度氾围可以包括20A-5000A,如 20A、300A、1000A、2500A或5000A小实施例中所述第一型非晶硅层210的厚度 与所述第二I型非晶硅层220的厚度可以相同,也可以不同。 [0068]其中,所述N型非品佳层400的厚度(即四个N犁非品硅子层的厚度之和)范围 可以包括20A~5000A,如:20A、300A、1000A、2500A或5000A每个N型半导体子 层的厚庋可以相同,也可以不同。本实進例屮所述P型非品硅层300的厚度与所述N型非 晶硅层400的厚度可以相同,也可以不同 [0069]其中,所述N型非品层400中掺杂离」叫以包括:磷、砷和锑中的一种或多种。本 实施例中N型非晶硅层400中掺杂离子为磷。 [0070]在保证第四N型非昰硅子层440中磷离子的掺杂浓度>第三N型非晶硅子层430 中磷离了的掺杂浓度>第二N型非晶硅了层420中磷脔了的掺杂浓度>第一N型非晶硅 子层410中磷离子的掺杂浓度的前提下,所述N型非晶硅层400中掺杂离子浓度的取值范 围冂以包拓:E0/cm3~1E20/cm3。如:第一N型非品硅子层110中磷离子的掺杂浓度为 1E10/cm3,第一N型非晶硅子层420中磷离子的掺杂浓度为1E12/cm,第三N型非晶硅子 层430屮磷离子的掺杂浓度为1E17/cm3,第四N型非晶硅子层440屮磷离子的掺杂浓度为 LE20/cm。 [0071]具体地,本实施例也采用多次离子注入方式形成所述N犁非晶硅层400,具体可参 考形成P型非晶硅层300的步骤,在此个冉赘述, [0072]接着,参考图11所示,在所述P型非晶硅层300的上表面和所述N型非晶硅层400 的下表面分别形成第一抗反射层510和第_抗反射层520 [0073]本实施例在形成第抗反射层510和第二抗反射层520之前,还可以先采用热氧 化工艺分别在P型非品硅层300的|表面和N型非晶硅层100的下表面形成一层厚度范 位于10A~300A的二氧化硅(图中未示出),从而可以进一步降低少数我流子表面复合。因 为采用热氧化工艺形成二氧化硅的过程屮,可以有效去除硅表面的问隙缺陷,从而钝化未 饱利悬挂键 [0074]本实施例可以采用PCV、磁控溅射或电子東的蒸发等方法形成第一抗反射层 510和第二抗反射层520。所述第一抗反射层510或第二抗反射层520的材料可以为化 硅、硫化锌或ˉ氧化钛中的一种或多和,其厚度范围可以包括500A~1000A。所述第一抗 反射层50或第二抗反射层520除了抗反射的作用外,还可以起到钝化表面的作用。 [0075]需要说明的是,在木发明的其他实施例中,还可以仅形成第抗反射层510或仅 形成弟二抗反射层520 [0076]最后,参考图12所示,在所述第一抗反射层510的上表面形成正面电极610,在所 述第二抗反射层520的上表面形成背面电极620。 8 CN102446991B 说明书 7/7页 [0071]形成正面电极610和背面电极620的具体工艺对于本领域的技术人员是熟知的, 在此不耳赘述 [0078]本实施例中硼离子和磷离子的掺杂浓庋都是阶梯状分布的,具体参考图13所示。 方面,P型非晶硅层靠近第一Ⅰ型非晶硅层的区域(即第一P型非昰硅子层)掺杂离子浓 度最低(如:lE10/cm3),因此可以减小P型非晶硅层对第一I型非晶硅层的污染,N型非晶 硅层靠近第二I型非晶硅层的区域(即第一N型詐晶硅子层)掺杂离子浓度也最低(如 l10/c-m3),因此可以减小N犁非是硅层对第二1型丰晶硅层的污染。另方面,P型非晶硅 层远离第一Ⅰ型非品砷层的区域(即第四P型非品硅子层)掺杂离子浓度以很高(如: 1E20/cm),N型非晶硅层远离第二Ⅰ型非晶硅层的区域(即第四N型非晶硅子层)掺杂离 子浓度也可以很高(如:E20/cm3),因此可以增加非皛硅薄膜太阳能电池的带隙宽度。最 终可以提高薄膜太阳能电池的光电转换效率 [0079]上述实施例中堪板为N型板,第一电极为面电极,第二电极为背面电极 [0080]当基板为P型基板,第一电枚为背闻电极,第二电板为正面电枚时,参考图14所 示,此时,同样可以提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。 [0081]相应地,本发明还提供了一种基于晶硅的薄膜太阳能电池,包括: [0082]基板,所述基板的材料为单品硅或多品硅; [0083]依次位于所述基板一侧的第一遂穿氧化层、第一I型半导体层、P型半导体层和第 电极;所述P型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,所述P型半导体 子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置,位于所述第一Ⅰ型半导体层表面的P型半导体 了层的掺杂离了浓度最小 [0084]依次位于所述基板另一侧的第二遂穿氧化层、第二1型半导体层、N犁半导体层和 第二电砹:所述N型半导体层包括多个掺杂离子浓度不同的N型半导体子」层,所述N型半导 体子层按照掺杂离子浓度人小依次层叠设置,位于所述第二「型半导体层表面的N型半导 体子层的掺杂离子浓度最小 [0085]在个例了中,所述基板为N型基板,所述第电极为正面电极,所述第二电极为 背面电极 [0086]在一个例子中,所述基板为P型基板,所述第一电极为背面电极,所述第二电极 为正面电极。 [008刀]其中,所述P型半导体层的厚度范围可以包括:20A~5000A。 [008其中,所述N型半导体层的厚度范帮可以包括:20A5000A。 [0089]其中,所述P型半导体层肀掺杂离子浓度的取值范围可以包括:1E10/cm3~1E20 [0090]其中,所述\型半导体层肀掺杂离子浓度的取值范围可以包括:lE10/cm3~1E20 [00]1具体地,所述基于晶硅的溥膜太驲能电池可以采用上述制造方法形成,在此不再 赘述 [0092]虽然本发明已较佳的实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术 人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可做各种更动与修改,因此本发明的保扩范围应 当以利要求所限定的范围为准 CN102446991B 说明书附图 1/7页 条缓藏影影爱教 提供材料为单晶硅或多晶硅的基板 SI 在所述基板的一侧依次形成第一1型半导体层、P型 半导体层和第一电极;形成所述P型半导体层包括 形成多个掺杂离子浓度不同的P型半导体子层,所述 P型半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层叠设置 位于所述第一型半导体层表面的P型半导体子层 的掺杂离子浓度最小 在所述基板的另一侧依次形成第二I型半导体层、N 型半导体层和第二电极;形成所述N型半导体层包括 :形成多个掺杂离子浓度不同的\型半导体子层 所述N型半导体子层按照掺杂离子浓度大小依次层 叠设置,位于所述第二Ⅰ型半导体层表面的N型半寻 体子层的掺杂离子浓度最小 图2 10

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2019-09-05
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