MOS/CMOS 集成电路简介及 N 沟道 MOS 管和 P 沟道 MOS 管
N 沟道 MOS 管的结构及工作原理
N 沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS 管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达 106～109W，但在要求输入电阻
更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是 PN 结的
反偏电阻，在高温条件下工作时，PN 结反向电流增大，反偏电阻的阻值
明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管
（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅
极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达
1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模
集成电路。
MOS 管也有 N 沟道和 P 沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽
型两种，二者的区别是增强型 MOS 管在栅-源电压 vGS=0 时，漏-源极之
间没有导电沟道存在，即使加上电压 vDS（在一定的数值范围内），也
没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型 MOS 管在 vGS=0 时，漏-源极间
就有导电沟道存在。
一、N 沟道增强型场效应管结构
资源评论
