一维半导体纳米材料的研究进展

一维半导体纳米材料的研究进展，孙彦刚，吴江红，一维半导体纳米材料如纳米管、纳米线异质结，具有许多独特的性质和广阔的应用前景，已经吸引了国内外科学界的高度重视。本文评述

什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作

蒋玉龙半导体器件原理 PPT

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半导体纳米结构中的自旋动力学及自旋调控

半导体纳米结构中的自旋动力学及自旋调控，吴明卫，，本文综述了我们在半导体纳米结构系统中，基于动力学自旋Bloch方程，对自旋进动和自旋扩散／输运中的自旋弛豫／退相干方面的理论研�

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半导体存储器的工作原理.pdf

半导体存储器的工作原理pdf,本文介绍了ROM存储器，RAM的结构及工作原理，TMS4116的刷新，4116芯片的读、写周期时序等内容。

半导体制冷片的工作原理

本文主要讲了半导体制冷片的工作原理，希望对你的学习有所帮助。

电子测量中的载流子迁移率测量方法总结

0 引言 　　迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。 　　1 迁移率μ的相关概念 　　在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比为： 　　式中μ为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位是m2／V·s或cm2／

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计算机组成原理实验报告二：半导体存储器原理实验 1. 实验目的与要求： 实验目的： 1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。 2、掌握半导体随机存储器怎样存储和读出数据。 实验要求： 1、实验前，要求做好实验预习，掌握6116型RAM存储器的功能特性和使用方法。 2、实验过程中，要认真进行实验操作，仔细思考实验有关的内容，把自己想得不太明白的问题通过实验去理解清楚，争取得到最好的实验结果，达到预期的实验教学目的。 3、 实验完成后，写好实验报告。

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实验二半导体存储器原理实验，对广工广大学子很有帮组

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半导体测试原理 Fundamentals of Digital Semi Testing，非常详细的参考资料，PDF格式，对于刚接触半导体测试的人员必看的资料哦

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等离子激元对有机半导体体相异质结中电荷转移激子荧光发射的调制作用研究，窦菲，张新平，本文研究了金纳米岛结构等离子激元对聚合物poly (9, 9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole) (F8BT) 和poly(9,9'-dioctylfluorene-co-bis-N,N'-(4-butylphenyl) -bis-N,

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半导体纳米异质外延应变研究，王天琪，叶寒，半导体异质外延研究是半导体科学中的一个重要内容，在理论和应用上具有非常重要的意义。本文系统阐述了异质外延、位错理论，研究