电源技术中的Atmel面向移动无线电推出硅锗前端集成电路

Atmel公司日前宣布推出基于硅锗(Silicon Germanium, SiGe)的新型前端集成电路(front-end IC) -- ATR0981。该器件整合了接收路径的功率放大器(PA)和低噪

Renesas发布高性能硅锗MMIC

瑞萨科技公司（Renesas）今天宣布，推出一种用于无线局域网（LAN）终端发射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz双模硅锗（SiGe）MMIC*1 HA31010。样品将于2006年6月从日本开

模拟技术中的Atmel 802.11b/g硅锗功率放大器

Atmel今天宣布推出其面向快速发展的高容量 WLAN 市场的新款 WLAN 功率放大器 (PA)。 2.4GHz 的功率放大器 ATR7032 符合 802.11b/g 标准，并采用 Atmel 先

Atmel推出新型家用无线电前端硅锗IC

Atmel近日宣布推出基于硅锗(SiGe)的新型前端集成电路(front-end IC)——ATR0981。通过SiGe技术的应用以及该设备的较广工作频率范围(300MHz至500MHz)，可实现从手

RFID技术中的Renesas发布高性能硅锗MMIC

瑞萨科技公司（Renesas）今天宣布，推出一种用于无线局域网（LAN）终端发射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz双模硅锗（SiGe）MMIC*1 HA31010。样品将于2006年6月从日本开

硅锗薄膜上量子点的受激发光

脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720-800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰有明显的阈值行为。实验发现从Si量子点到SiGe量子点结构的变化

电源技术中的安森美推出硅锗电流模式逻辑解决方案

安森美半导体(ON Semiconductor)推出基于硅锗(SiGe)的高带宽、完全差分时钟分配、时钟驱动、时钟复用和时钟预调的集成电路(IC)——NB7L11M、NB7L14M、NB7L86M、N

700 ◦C退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理

700 ◦C退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理

瑞萨科技发布硅锗功率晶体管有助于开发低功耗产品..

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等

通信与网络中的瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等

通信与网络中的瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。 　　

论文研究-阴极短路SiGeC功率二极管击穿机理研究 .pdf

阴极短路SiGeC功率二极管击穿机理研究，刘静，，阴极短路结构对于改善二极管的反向恢复特性具有显著效果，但它的缺点是会牺牲器件的反向击穿电压，长期以来这一问题大大限制了阴

美科学家研制出硅锗光调制器 有望加速光互联速度

光比电能更快地传输数据，但使用光在硅芯片中传输数据过于昂贵和复杂。现在，美国斯坦福大学的工程师已经基本上解决了上述问题。   　　他们发明了一个可以很容易就集成在芯片内的关键组件，能把激光束分解成每秒

汽车77GHz毫米波雷达接收器设计.pdf

近年来，硅技术的不断改进导致实现截止频率超过200GHz的晶体管。这一发展使得能够在毫米波方案中集成具有成本效益的收发器，从高集成密度和基于硅的技术的产量中获益。这类系统的应用范围从汽车雷达到高速数据

通信与网络中的SiGe技术提高无线前端性能

摘要：这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高RF应用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪声的影响。SiGe技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe技术在线性度方面的影响还在

显示/光电技术中的基于III-V族半导体材料的光电探测器

半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子ˉ空穴对，在适当内电场作用下载流子的漂移，欧姆接触收集载流子。半

基于III-V族半导体材料的光电探测器

半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子ˉ空穴对，在适当内电场作用流子的漂移，欧姆接触收集载流子。半导体

硅的性质及有关半导体基础理论.pdf

硅的性质及有关半导体基础理论pdf,本文主要讲了有关硅的性质及有关半导体基础理论。

论文研究 - 使用STEM莫尔评估阶梯式SiGe / Si（110）的晶格空间变化的可行性研究

在扫描透射电子显微镜中形成的晶格平面和扫描电子束线之间的波纹包括晶格间隔的信息。 我们将这些现象应用于通过分子束外延法沉积到Si衬底上的成分渐变SiGe薄膜。 实验和图像分析的结果表明，该技术具有根据

论文研究 - 应力诱导孪晶形成的SiGe / Si（110）的表面粗糙度及其产生光滑表面的解决方案

生长在SiGe（110）/ Si（110）上的晶格应变Si薄膜吸引人，因为它们具有实现高速晶体管的潜力。 在这项研究中，我们使用扫描电子显微镜观察了Si / SiGe / Si（110）的表面形态，还

论文研究-SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计 .pdf

SiGeC/Si异质结二极管特性分析与优化设计，刘静，，基于异质结理论，提出了一种新型p (SiGeC)-n--n 异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDIC

蓝牙功率放大器SE2425U及其应用研究

1概述 　　SE2425U功率放大器是专为标准蓝牙和增强型数据速率应用而优化设计的微型功率放大器。在标准速率GFSK模式下SE2425U的输出功率为+25dBm；在增强型速率8DPSK模式下则为+19

模拟技术中的蓝牙功率放大器SE2425U及其应用研究

1概述 　　SE2425U功率放大器是专为标准蓝牙和增强型数据速率应用而优化设计的微型功率放大器。在标准速率GFSK模式下SE2425U的输出功率为+25dBm；在增强型速率8DPSK模式下则为+19

飞秒激光形成的半导体低维结构与发光

采用飞秒激光辐照硅和硅锗样品,用扫描电子显微镜(SEM)观察样品,发现样品上产生了某些低维结构。用飞秒激光作用产生等离子体相干驻波对硅和硅锗表面的融蚀模型来解释低维结构的形成机制,发现硅的表面周期约为

络达成功开发高集成小体积802.11n WLAN射频芯片AL8160

中国台湾地区射频(RF) IC设计厂商络达科技(Airoha Technology)，继成功推出GSM/GPRS、PHS、FM、Wireless LAN (IEEE 11a/b/g全系列RF IC)之

通信与网络中的SiGe推出业界首款用于增强型数据速率蓝牙应用的功率放大器

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor) 宣布扩展其RangeCharger集成电路系列，推出专为标准蓝牙和增强型数据速率 (enhanced data rate, EDR) 应用而

通信与网络中的SiGe推出可用于增强型数据速率蓝牙的功率放大器

SiGe半导体公司宣布扩展其RangeCharger集成电路系列，推出专为标准蓝牙和增强型数据速率 (enhanced data rate, EDR) 应用而优化的微型功率放大器 (power amp

通信与网络中的SiGe增强型数据速率蓝牙应用的功放

SiGe半导体公司宣布扩展其RangeCharger集成电路系列，推出专为标准蓝牙和增强型数据速率 (enhanced data rate, EDR) 应用而优化的微型功率放大器 (power amp

通信与网络中的SiGe为篮牙设计推出的功放确保在两种模式下的最佳效率

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)宣布扩展其RangeCharger集成电路系列，推出专为标准蓝牙和增强型数据速率(enhanced data rate, EDR)应用而优化的