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基于电路设计的CMOS器件闩锁现象分析与讨论
基于电路设计的CMOS器件闩锁现象分析与讨论
基于电路设计的CMOS器件闩锁现象分析与讨论,LXT385,LTC1063,双电源系统,开发板,电子技术,ARM开发板
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CMOS集成电路的闩锁效应
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在CMOS集成电路的使用中，对CMOS集成电路的闩锁效应应特别加以重视。根据中国空间技术研究院1987～1990年卫星用CMOS集成电路失效模式和失效机理分布统计，因闩锁效应造成的CMOS集成电路失效数占总失效数的27.5％。因此，了解CMOS集成电路的闩锁效应，预防CMOS集成电路闩锁效应的发生，对提高产品的可靠性具有十分重要的意义。
CMOS电路结构中的闩锁效应
CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日 益突出。闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发, 会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效。
CMOS电路中的闩锁效应研究
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS 结构中...提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，给出了产生闩锁效应的必要条件，列举了闩锁效应的几种测 试方法。最后，介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
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